ЧИТАЙ БОЛЬШЕ на сайте http://vashdomru.ru/blog/

Квалифицированная помощь опытных юристов в Центре Услуг «Ваш Дом» Звоните 8/345-51/7-13-63, 8-982-914-4085

#вашюристЕленаСухарева #вашеблагополучиенашазабота #юрист #юридическая помощь #бесплатныеконсультацииюриста #лучшиеюристыИшима

Когда можно взыскать алименты — Семейные споры

Кто платит алименты

Родители обязаны содержать своих несовершеннолетних и в отдельных случаях совершеннолетних детей. Кроме того, установлена обязанность других членов семьи по содержанию друг друга, например трудоспособные совершеннолетние дети должны содержать своих нуждающихся в помощи родителей, являющихся нетрудоспособными или достигшими возраста 55 и 60 лет (соответственно для женщин и мужчин) (п. 1 ст. 80, п. 1 ст. 85, п. 1 ст. 87, п. 8 ст. 169 СК РФ).

Когда платить алименты

По общему правилу алименты присуждаются с момента обращения в суд (п. 2 ст. 107 СК РФ).

При этом, например, если лицо, обязанное уплачивать алименты, оказывает помощь в произвольном размере, этот факт сам по себе не может свидетельствовать о надлежащем исполнении обязанности по ежемесячному регулярному содержанию в необходимом размере и являться основанием для изменения даты начала взыскания алиментов (Апелляционные определения Московского городского суда от 20.01.2020 по делу N 33-2066/2020, от 08.10.2019 по делу N 33-8037/2019).

Кроме того, алименты могут быть взысканы судом за прошедший период в пределах трехлетнего срока с момента обращения в суд. Суд вправе удовлетворить такое требование, если до обращения в суд принимались меры к получению алиментов, однако лицо, обязанное уплачивать алименты, уклонялось от их уплаты (абз. 2 п. 2 ст. 107 СК РФ).

О мерах, принятых в целях получения алиментов, могут свидетельствовать, в частности, обращение истца к ответчику (например, посредством направления телеграмм, заказных писем с уведомлением либо посредством электронной почты) с требованием об уплате алиментов либо с предложением заключить соглашение об уплате алиментов, обращение к мировому судье с заявлением о выдаче судебного приказа о взыскании алиментов на несовершеннолетнего ребенка (если впоследствии судебный приказ был отменен) (п. 11 Постановления Пленума Верховного Суда РФ от 26.12.2017 N 56).

При определении даты, с которой с ответчика будут взысканы алименты за прошлое время, суд может учесть, что ответчик оказывал материальную помощь на содержание ребенка, нес расходы по его обеспечению (Апелляционное определение Московского городского суда от 30.03.2015 по делу N 33-10372/2015).

Алименты за прошедший период взыскиваются только в порядке искового производства (п. 3 ч. 3 ст. 125 ГПК РФ; п. 3 Постановления Пленума Верховного Суда РФ N 56; разд. II Обзора, утв. Президиумом Верховного Суда РФ 13.05.2015).

При этом бремя доказывания факта принятия мер к получению алиментов возлагается на истца (ч. 1 ст. 56 ГПК РФ).

В случае предъявления требования о взыскании алиментов одновременно с требованием об установлении отцовства (материнства) возможность взыскания алиментов за прошедший период исключается — алименты присуждаются со дня предъявления иска (п. 31 Постановления Пленума Верховного Суда РФ N 56).

Судебный приказ или решение суда о взыскании алиментов подлежит немедленному исполнению (ст. 211 ГПК РФ).

Обратите внимание! По делам о взыскании алиментов суд вправе вынести постановление о взыскании алиментов до вступления решения суда о взыскании алиментов в законную силу, а при взыскании алиментов на несовершеннолетних детей — до вынесения судом решения о взыскании алиментов (п. 1 ст. 108 СК РФ).

При изменении ранее установленного судом размера алиментов на детей и других членов семьи взыскание их во вновь установленном размере производится со дня вступления в законную силу соответствующего решения суда (п. 60 Постановления Пленума Верховного Суда РФ N 56).

Посмотрите еще темы

Сверхбыстрая фотохимия гидропероксида метила на частицах льда

Abstract

Моделирование показывает, что фотодиссоциация гидропероксида метила, CH ₃ OOH, на кластерах воды дает удивительно широкий спектр продуктов в субпикосекундном масштабе времени, указывая на возможность сложного пути фотодеградации органических пероксидов в аэрозолях и каплях воды. Динамика рассчитывается при нескольких энергиях возбуждения при 50 К с использованием полуэмпирической потенциальной поверхности PM3.Было обнаружено, что CH ₃ OOH предпочитает внешний вид кластера, при этом группа CH ₃ O выступает наружу, а группа OH погружена в кластер. При подходящих для атмосферы длинах волн фотодиссоциации фотофрагменты OH и CH ₃ O остаются на поверхности кластера или погружаются в него. Однако ни одна из 25 завершенных траекторий, выполненных при энергиях фотодиссоциации, релевантных для атмосферы, не привела к рекомбинации OH и CH ₃ O с образованием CH ₃ OOH.В рамках ограниченной статистики доступных траекторий прогнозируемый выход для рекомбинации равен нулю. Вместо этого различные реакции с участием исходных фрагментов и воды быстро образуют широкий спектр стабильных молекулярных продуктов, таких как CH ₂ O, H ₂ O, H ₂ , CO, CH ₃ OH и H ₂ О ₂ .

Фотоиндуцированные процессы на поверхности воды или льда представляют интерес для химии атмосферы и других областей. Однако понимание таких процессов на молекулярном уровне в значительной степени отсутствует, потому что системы и вовлеченные взаимодействия сложны.В этой статье мы исследуем в качестве фундаментального прототипа фотодиссоциацию простейшего органопероксида, CH ₃ OOH, на частице льда. Основной мотивацией для изучения этого пероксида является его отношение к химии атмосферы, как обсуждается в ссылках. 1–11 и ссылки в них. Метилгидропероксид обычно присутствует в каплях воды в облаке в микромолярных концентрациях (7, 12, 13), а также, вероятно, присутствует в аэрозолях (4, 14). Судьба CH ₃ OOH в каплях воды может влиять на его роль в качестве резервуара для HO _x , потому что этот пероксид, как известно, является основным источником OH на больших высотах тропосферы (10, 15).Фентоноподобные реакции с участием CH ₃ OOH и Fe (II) служат важным источником водных радикалов HO ₂ (16). Наконец, недавние данные свидетельствуют о том, что реакции между пероксидами и продуктами окисления изопрена приводят к образованию тетролов, что способствует образованию вторичных органических аэрозолей (17).

Хорошо известно, что газовая фаза CH ₃ OOH фотолизируется под действием УФ-видимого возбуждения с образованием CH ₃ O и OH с квантовым выходом, близким к единице (8, 18–23).Из-за умеренной растворимости CH ₃ OOH, он также может подвергаться фотолизу в конденсированной фазе после поглощения водными частицами и частицами льда и способствовать образованию водных свободных радикалов (24). Насколько нам известно, только два предыдущих эксперимента изучали фотолиз CH ₃ OOH в жидкой воде (9) и частицах льда. ^† Каждое из этих исследований идентифицировало CH ₂ O и H ₂ O в качестве основных продуктов, предполагая, что фотохимия CH ₃ OOH значительно сложнее в средах с конденсированной фазой.В отличие от газофазного фотолиза CH ₃ OOH (5, 8), его конденсированный фотолиз теоретическими методами не исследован. Мы использовали теоретическое исследование, чтобы проследить динамику первичных продуктов фотолиза, CH ₃ O и OH, на небольшом кластере воды с атомистическим моделированием.

Есть много прецедентов использования основанных на молекулярной динамике подходов для исследования фотохимии в конденсированных средах (26–31) и использования небольших кластеров воды в качестве типичных модельных систем реакционной способности воды (32, 33).Например, фотолиз воды в кристаллическом льду был исследован с использованием силовых полей для аппроксимации потенциалов (26). Фотодиссоциация HCl, адсорбированной на льду, изучалась с помощью подхода, в котором фрагмент водорода описывался квантово-механически, а фрагмент хлора и молекулы воды рассматривались классически (27, 28). Аналогичная стратегия квантовой механики / молекулярной механики была использована для исследования фотодиссоциации пероксида хлора на льду (29). Некоторые исследователи прибегали к замораживанию определенных степеней свободы во время моделирования (30, 31).В этой работе используется метод электронной структуры PM3 (34) для генерации сил вдоль атомных траекторий «на лету» (35), что позволяет эффективно моделировать относительно большие кластеры. Настоящие расчеты не предполагают замораживания выбранных координат или уменьшения взаимодействий до силовых полей, которые могут искусственно предотвратить непредвиденные химические процессы. Наши результаты показывают, что даже для относительно небольшой многоатомной молекулы, такой как CH ₃ OOH, фотолиз на льду дает большое разнообразие химических результатов.Ожидается, что для более крупных органических пероксидов разнообразие конкурирующих химических путей будет еще больше. Способность метода, который мы использовали для описания разнообразных, возможно, неожиданных химических реакций, важна для моделирования фотохимии органических пероксидов в воде. Мы ожидаем, что этот метод также может быть использован для моделирования других фотохимических процессов, происходящих в воде или в других конденсированных средах или внутри них.

Результаты

Молекула CH ₃ OOH была расположена на поверхности кластера из 20 молекул воды, и было проведено динамическое моделирование при 50 K под влиянием потенциала PM3.Траектория распространялась за 30 пс. Было проанализировано двадцать случайно выбранных конфигураций от 10 до 29 пс. На рис. 1 представлен типичный снимок кластера. На этом и всех остальных снимках CH ₃ OOH осталась на поверхности кластера. В симуляциях, которые намеренно поместили CH ₃ OOH в середину кластера, CH ₃ OOH мигрировали к поверхности. Атомы углерода и кислорода CH ₃ O в среднем равноудалены от центра масс кластера (2.9 ± 0,2 и 2,9 ± 0,1 Å соответственно). Напротив, атом кислорода ОН был обнаружен ближе к центру кластера, 1,8 ± 0,2 Å, а водород ОН обычно находился в промежуточном месте, 2,6 ± 0,2 Å. На рис. 1 показан типичный образец связывания с двумя атомами кислорода и перекисным атомом водорода в CH ₃ OOH, образующими водородные связи с соседними молекулами воды. Эта закономерность наблюдалась для всех 20 выбранных конфигураций.

Типичная структура CH ₃ OOH на кластере льда из 20 молекул H ₂ O при 50 К.Розовые ореолы указывают на атомы воды, связанные водородными связями с CH ₃ OOH.

Всего было выполнено 120 симуляций фотолиза. Каждое из этих имитаций было построено на основе 1 из 20 уникальных начальных геометрий и шести различных энергий фотонов. Вертикальные переходы, соответствующие шести энергиям фотонов, изображены на рис. 2. Переход с энергией 6,7 эВ соответствует возбуждению Франка – Кондона из состояния с наименьшей энергией. Переход при 8,4 эВ соответствует фотовозбуждению в УФ области более высокой энергии.Переходы 4,8, 4,1 и 2,9 эВ соответствуют релевантным для атмосферы энергиям фотовозбуждения в ближней УФ и видимой областях солнечного спектра.

Потенциальные энергии основного и первого возбужденного состояний CH ₃ OOH вдоль r (O — O). Длина вертикальных стрелок указывает исследованные энергии фотовозбуждения. В каждом моделировании фотолиза систему возбуждали до точки P * _i . Затем молекула диссоциировала вдоль потенциала возбужденного состояния, и предполагалось, что уменьшение энергии вдоль потенциальной кривой r (O-O) полностью преобразуется в кинетическую энергию в координате r (O-O).При P * ₁ предполагалось, что система внутренне перешла в основное состояние на P _PMD , когда началось моделирование. В реальных расчетах использовался потенциал PM3, а не одиночный потенциал конфигурационного взаимодействия (CIS).

В таблице 1 представлены ключевые результаты для моделирования фотолиза, отсортированные по энергии фотонов, включая долю успешно завершенных траекторий, вероятности рекомбинации и связывания для каждого фрагмента фотолиза и окончательный размер кластера.

Данные для моделирования фотолиза

Реакция рекомбинации происходила только в 25% времени для возбуждения 0,39 эВ, даже несмотря на то, что фрагментам были присвоены только случайные тепловые скорости в начале этого моделирования (нет фрагмента отдачи от фотолиза. ). В каждом из этих случаев моделирование показало, что фрагменты сближаются друг с другом колебательно. Амплитуда колебаний имела тенденцию к уменьшению со временем, пока расстояние пероксидной связи не стало относительно постоянным.Рекомбинация никогда не происходила при атмосферно релевантных энергиях возбуждения, при которых фрагменты были вынуждены отскакивать друг от друга после разрыва связи O — O. В некоторых случаях фрагменты действительно сближались в кластере после фотолиза с более высокой энергией. Эти встречи, однако, имели тенденцию стимулировать выброс H или H ₂ из фрагмента CH ₃ O, а не приводили к рекомбинации. Это открытие указывает на то, что, несмотря на ожидаемые эффекты молекулярной клетки, рекомбинация очень маловероятна для фотолизированной молекулы CH ₃ OOH, сидящей на поверхности льда или воды.

Траектории, приводящие к выбросу CH ₃ O и / или OH из кластера, также были на удивление редкими, за исключением событий фотолиза с наивысшей энергией. CH ₃ O выбрасывался из кластера чаще, чем OH из-за исходной ориентации CH ₃ O — OH. В целом, r (O — O) был приблизительно перпендикулярен поверхности водного кластера в начале этого моделирования, а группа CH ₃ O находилась на поверхности. В событиях выброса фрагмент ОН быстро откатился прямо через центр кластера, а затем покинул противоположную поверхность, часто сталкиваясь и одновременно соизбрасывая от одной до трех молекул воды.Фрагмент CH ₃ O, напротив, двигался прямо от поверхности кластера медленным перпендикулярным образом и обычно не блокировался соседними молекулами H ₂ O.

Самым захватывающим результатом этих симуляций было наблюдение богатой химии, включающей исходные фрагменты фотолиза, причем некоторые из продуктов появлялись уже через 0,2 пс. На рис. 3 показано распределение химических продуктов при моделировании фотолиза при 50 К CH ₃ OOH на 20 молекулах воды.Столбики показывают процент завершенных симуляций, которые привели к определенному химическому соединению в качестве конечного продукта. Такие продукты, как CHO, H, O и CH ₂ (OH) ₂ , которые появились только в одном или двух моделированиях, не были включены на рис. 3. При трех самых низких энергиях фотонов CH ₂ O и H ₂ O были основными продуктами. Например, образование CH ₂ O и H ₂ O происходило в 50% моделирования с энергией 4,1 эВ, в то время как образование H ₂ , CO, CH ₃ OH и H ₂ O ₂ образовывалось. в остальных случаях.Образование CH ₂ O и H ₂ O происходило, в некоторых случаях, путем прямого отрыва атома H от CH ₃ O с помощью OH. Однако более распространенным путем была мономолекулярная диссоциация CH ₃ O через промежуточное соединение CH ₂ OH на CH ₂ O и H с последующей серией переносов атома H между несколькими молекулами воды, пока атом H не был перешел в OH с образованием H ₂ O.

Распределение химических продуктов при фотолизе CH ₃ OOH на ледяном кластере 50 K.

Испарение молекул воды из кластера наблюдалось на многих траекториях. О степени испарения можно судить по окончательному размеру кластера (таблица 1). В целом, более крупные конечные размеры кластеров, т.е. кластеры с меньшей степенью испарения, наблюдались для самых высоких и самых низких энергий возбуждения. В среде, более релевантной для атмосферы, с энергиями возбуждения фрагменты оставались в кластере после фотовозбуждения, но имели тенденцию выделять кинетическую энергию при столкновениях с молекулами воды.Дополнительная кинетическая энергия высвобождалась в последующих химических реакциях. В совокупности эти эффекты имели тенденцию разрушать кластеры, приводя к более низким конечным размерам кластеров, которые наблюдались.

Обсуждение

Мы использовали быстрый метод, подходящий для изучения фотохимии многоатомных молекул в конденсированных и / или гетерогенных средах, таких как поверхности атмосферы. Наши расчеты показывают, что фотолиз CH ₃ OOH на поверхности небольшого кластера воды приводит к нескольким химическим результатам, зависящим от длины волны, включая образование CH ₂ O и H ₂ O, выход фрагментов, рекомбинация и образование других химических продуктов.Пятьдесят процентов моделирования фотолиза при λ = 300 нм (4,1 эВ) привели к образованию CH ₂ O и H ₂ O. Хотя CH ₃ O и OH являются основными продуктами CH ₃ OOH. газофазный фотолиз (8, 18–22), образование CH ₂ O и H ₂ O термодинамически благоприятно (ΔE = −55 ккал · моль ⁻¹ ). Однако этому процессу препятствует энергетический барьер, который на ≈3,4 ккал · моль ^-1 превышает потребность в энергии для образования CH ₃ O и OH при прямом разрыве связи O — O (8).Наше моделирование показывает, что окружающие молекулы воды способствуют образованию продуктов реакции с более низкой энергией CH ₂ O и H ₂ O.

Monod et al. (9) недавно сообщили о результатах экспериментальных исследований, направленных на характеристику фотолиза CH ₃ OOH и родственного пероксида C ₂ H ₅ OOH в условиях моделирования облачных капель. Миллимолярные концентрации молекул перекиси, растворенных в воде, подвергали фотолизу при значениях pH от нейтральных до кислых при 279 К.В соответствии с нашим моделированием они обнаружили, что для фотолиза CH ₃ OOH при pH 7 преобладающим продуктом был CH ₂ O, за которым следует H ₂ O ₂ . Monod et al. (9, 16) предположили, что радикал CH ₃ O в воде может быстро изомеризоваться с образованием CH ₂ OH. В проведенном нами моделировании, которое привело к образованию CH ₂ O, CH ₃ O фактически изомеризуется в CH ₂ OH. Затем изомеризация до CH ₂ OH сопровождалась выбросом H и образованием CH ₂ O.Наконец, следует также отметить, что в недавнем исследовании Schrems et al. ^† продемонстрировал, что фотолиз CH ₃ OOH во льду приводит к образованию CH ₂ O в качестве основного продукта.

Представляет интерес сравнение между CH ₃ OOH и H ₂ O ₂ . Газовая фаза H ₂ O ₂ быстро распадается на два радикала ОН при УФ-фотовозбуждении с почти 100% эффективностью (36). Примерно 50% пар ОН + ОН, образованных в результате фотолиза H ₂ O ₂ в воде (37, 38) или льду (39), рекомбинируют обратно в H ₂ O ₂ .Напротив, как экспериментальные, так и теоретические данные свидетельствуют о том, что рекомбинация не так эффективна при фотолизе CH ₃ OOH. Monod et al. Авторы (9, 40) связывают этот результат с легкостью изомеризации радикала CH ₃ O в радикал CH ₂ OH в водных условиях. Наше моделирование, по-видимому, предполагает перенос H-атома от CH ₃ O · к · OH как вероятный механизм подавления рекомбинации. Независимо от интерпретации ясно, что на распределение продуктов фотолиза сильно влияют быстрые вторичные реакции, происходящие после начального разрыва связи O — O.

Метод PM3, как правило, неточен количественно. Однако для органических молекул в кластерах воды, рассматриваемой здесь системы, она предлагает разумный баланс между эффективностью и точностью. Чтобы проверить точность этого метода, мы рассчитали энергию электронной связи PM3 для димера H ₂ O — H ₂ O и нашли, что она составляет -3,2 ккал · моль ^-1 . Этот результат хорошо согласуется с существующей литературой, в которой истинная энергия связи оценивается как ≈3–5 ккал · моль ^–1 (41–43).Решающим для применимости метода является то, что через короткое время можно было бы предположить, что распространение происходит в основном электронном состоянии. Это предположение, безусловно, не учитывает реакции, которые потенциально могут происходить на поверхности потенциальной энергии с электронным возбуждением (ППЭ). В случае УФ-фотолиза органических пероксидов химия возбужденного состояния вряд ли внесет значительный вклад, потому что начальный разрыв связи O — O происходит в фемтосекундном временном масштабе на полностью отталкивающем ППЭ (рис.2). Полуколичественное согласие с экспериментом позволяет предположить, что динамика фотодиссоциации CH ₃ OOH в воде определяется ППЭ основного состояния. Таким образом, этот подход может быть применим к широкому кругу процессов прямой фотодиссоциации на поверхности воды и льда.

Материалы и методы

Моделирование молекулярной динамики использовалось для описания системы в тепловом равновесии до поглощения фотона. Эффективное, но достаточно реалистичное силовое поле необходимо для моделирования динамики.Мы выбрали полуэмпирический потенциал PM3 (34) и использовали его в динамическом моделировании динамики (35) при 50 K. Для недавнего обзора моделирования динамики атмосферно значимых процессов, включая моделирование реакций в водных кластерах и PM3. для получения информации о динамике см. исх. 33. Траектории отслеживались с течением времени до уравновешивания, обращая внимание на относительное положение и ориентацию CH ₃ OOH по отношению к остальной части ледяного кластера, а также на взаимодействие молекул воды с пероксидом.Снимки, извлеченные из этих симуляций, были использованы для получения набора начальных конфигураций для последующих симуляций фотолиза.

Потенциальные энергии для основного состояния и первого возбужденного синглетного состояния изолированного CH ₃ OOH в зависимости от расстояния O — O (рис. 2) были вычислены с использованием синглов конфигурационного взаимодействия (25). Потенциал возбужденного состояния является отталкивающим при соответствующей геометрии, и диссоциация после фотовозбуждения Франка – Кондона CH ₃ OOH начинается с разрыва связи O — O.Это предположение подтверждается предыдущими исследованиями (5, 8). Когда фрагменты CH ₃ O и OH разделяются на расстояние 2,6 Å, основная и возбужденная кривые сливаются, и мы предположили, что в этот момент система переходит в основное электронное состояние. Несколько пробных имитаций для CH ₃ OOH на льду показали, что рассеяние энергии от фрагментов в кластер было незначительным на этих ранних стадиях процесса. Таким образом, все траектории проводились на потенциале основного состояния PM3, начиная с расстояний фрагментов r (O — O) ≈ 2.6 Å. Предполагалось, что вся избыточная энергия идет на поступательную отдачу фрагментов OH и CH ₃ O, параллельных связи O — O; соответствующие значения их начальных скоростей были рассчитаны из сохранения количества движения и наложены на тепловые скорости. Распространение всех траекторий отслеживалось на лету с PM3.

Благодарности

Мы благодарим доктора О. Шремса (Институт Альфреда Вегенера, Бремерхафен, Германия) за предоставление предварительных результатов экспериментов по фотолизу CH ₃ OOH во льду.Эта работа была поддержана Национальным научным фондом через Институт молекулярных наук об окружающей среде (грант CHE-0431312). Работа в Еврейском университете поддержана грантом Израильского научного фонда 114/08.

Сноски

• ¹ Кому следует направлять корреспонденцию. Электронная почта: bgerber {at} uci.edu.

• Вклад авторов: M.A.K., S.A.N. и R.B.G. спланированное исследование; М.А.К. проведенное исследование; М.А.К. проанализированные данные; и M.A.K., S.А.Н., Р.Б.Г. написал газету.

• Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

• Эта статья представляет собой прямое представление PNAS.

• ↵ ^† Шремс О., Ганд М., Игнатов С.К., Сенников П.Г., Стендовый доклад, Седьмая международная конференция по низкотемпературной химии, 24–29 августа 2008 г., Хельсинки, Финляндия.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Вода | Бесплатный полнотекстовый | Карбамазепин как возможный антропогенный маркер в воде: случаи, токсикологические эффекты, правила и удаление с помощью технологий очистки сточных вод

5.1. Процессы на основе активированного ила

5.2. Грибы белой гнили и их внеклеточные ферменты

последних публикаций | Сократ Пантелидес

Google Scholar Citation Page

2021

[1] Т.Фен, Й. Ван, А. Херклотц, М. Ф. Чизхолм, Т. З. Уорд, П. С. Снейдерс, С. Т. Пантелидес, “Определение структуры поверхности оксида переходного металла рутила с помощью универсальной сканирующей туннельной микроскопии с изменением контракта”, Phys. Ред. B . 103 , 035409 (2021).

[2] С. Ноймайер, М. Суснер, М. Макгуайр, С. Т. Пантелидес, С. Калнаус, П. Максимович, Н. Балке, «Снижение T _C в слоистых материалах Ван-дер-Ваальса при деформации в плоскости» , в печати, IEEE Trans.Ультразвуковой. Сегнетоэлектр. Freq. Контроль.

[3] С. М. Ноймайер, М. Суснер, М. Макгуайр, С. Т. Пантелидес, С. Калнаус, П. Максимович, Н. Балке, «Экспериментальное исследование сегнетоэлектрического поведения в слоистых материалах Ван-дер-Ваальса при деформации в плоскости», in пресс, IEEE Trans. Ультразвуковой. Сегнетоэлектр. Freq. Контроль .

[4] Q. Zheng, T. Feng, JA Hachtel, J. Yan, R. Ishikawa, N. Shibata, Y. Ikuhara, JC Idrobo, BC Sales, ST Pantelides, M. Chi, «Прямая визуализация анионных электронов. в электриде выявляет неоднородности », в печати, Sci.Adv .

2020

[1] Q. Wang, ZL Zhao, Z. Zhang, T. Feng, R. Zhong, H. Xu, ST Pantelides, M. Gu, «Крупномасштабное производство заказанного интерметаллида толщиной менее 2 нм Pt ₂ In кластеры для реакции восстановления кислорода », Adv. Sci. 7 , 1_{9 (2020).}

[2] Дж. А. Брем, С. Ноймайер, М. Чяснавичус, М. А. Суснер, М. А. Макгуайр, С. В. Калинин, С. Джесси, П. Ганеш, С.Т. Пантелидес, П. Максимович, Н. Балке, “Перестраиваемое четырехъямное сегнетоэлектричество в кристалле Ван-дер-Ваальса”, Nat. Матер. 19 , 43 (2020).

[3] Т. Фэн, X. Ву, X. Ян, П. Ван, Л. Чжан, X. Ду, X. Ван, С. Т. Пантелидес, «Теплопроводность HfTe ₅ : критический обзор», Adv. Funct. Матер. 30 , 1

6 (2020).

[4] C.-T. То, Х. Чжан, Дж. Линь, А.С. Майоров, Ю.-П. Ван, К. Орофео, Д. Б. Ферри, Х. Андерсон, Н.Какенов, Х. Симс, К. Суэнага, С. Т. Пантелидес, Б. Эзилмаз, «Синтез и свойства автономного монослоя аморфного углерода», Nature 577 , 199 (2020).

[5] R. Ma, J. Ma, J. Yan, L. Wu, W. Guo, S. Wang, Q. Huan, L. Bao, S. T. Pantelides, H.-J. Гао, «Индуцированные морщинами каналы с высокой проводимостью в графене на подложке SiO ₂ / Si», Nanoscale 22 , 12038 (2020).

[6] X. Jin, Y.-Y. Чжан, С.Т. Пантелидес, С.Ду, «Интеграция графена и двумерных сегнетоэлектриков: свойства и связанные функциональные устройства», Nanoscale Horizons , (2020) (онлайн).

[7] R. Wu, D.-L. Бао, Л. Ян, Ю. Ван, Дж. Рен, Ю.-Ф. Чжан, К. Хуан, Ю.-Й. Чжан, С. X. Ду, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, «Прямая визуализация промежуточных состояний с переносом водорода с помощью сканирующей туннельной микроскопии», J. Phys. Chem. Lett. 11 , 1536 (2020).

[8] R. Zhang, J. Liu, Y.-Y.Чжан, С. Ду, С. Т. Пантелидес, «Необычное анизотропное тепловое расширение в многослойном SnSe приводит к переходу между положительным и отрицательным коэффициентом Пуассона», Appl. Phys. Lett . 116 , 083101 (2020).

[9] Л. Тао, Ю.-Й. Чжан, С. Ду, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, «Настройка каталитической активности квантового щелкунчика для диссоциации водорода», Поверхности 3 , 40 (2020).

[10] Дж. Чжоу, Дж. Линь, Х. Симс, К. Цзян, К. Конг, Дж. А. Брем, З.Zhang, L, Niu, Y. Chen, Y. Zhou, Y. Wang, F. Liu, C. Zhu, T. Yu, K. Suenaga, R. Mishra, S. T. Pantelides, Z.-G. Цзу, В. Гао, З. Лю, В. Чжоу, «Синтез совместно легированных монослоев MoS ₂ с усиленным разделением долин», Adv. Матер. 32 , 16 (2020).

[11] Х. Го, Р. Чжан, Х. Ли, Х. Ван, Х. Лу, К. Цянь, Г. Ли, Л. Хуанг, X. Линь, Y.-Y. Чжан, Х. Дин, С. Ду, С. Т. Пантелидес, Х.-Дж. Го, “Значительная ширина запрещенной зоны в эпитаксиальном двухслойном графене, индуцированная интеркаляцией силицена”, Nano Lett . 20 , 2674 (2020).

[12] L. Wu, J. Shi, Z. Zhou, J. Yan, A. Wang, C. Bian, J. Ma, R. Ma, H. Liu, J. Chen, Y. Huang, w. Чжоу, Л. Бао, М. Оуян, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, «Гетероструктура InSe / hBN / графит для высокопроизводительной 2D-электроники и гибкой электроники», Nano Res. 13 , 1 (2020).

[13] Ю. Чжоу, С. Кузер, А. Ю. Борисевич, С. Т. Пантелидес, С. Дж. Мэй, «Доказательства межфазного октаэдрического взаимодействия как пути повышения магнитосопротивления в сверхрешетках оксида перовскита», Adv.Матер. Интерфейсы 7 , 1_{6 (2020).}

[14] К. Цянь, Л. Гао, X. Чен, Х. Ли, С. Чжан, X.-L. Чжан, С. Чжу, Дж. Ян, Д. Бао, Л. Цао, Ж.-А. Ши, Дж. Лу, Ч. Лю, Дж. Ван, Т. Цянь, Х. Дин, Л. Гу, В. Чжоу, Ю.-Й. Чжан, Х. Линь, С. Ду, М. Оуян, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, «Воздухоустойчивый монослой Cu ₂ Se демонстрирует чисто термический структурный фазовый переход», Adv. Матер. 32 , 14 (2020).

[15] Т. Фенг, А. О’Хара, С.Т. Пантелидес, «Квантовое предсказание сверхнизкой теплопроводности в материалах с интеркаляцией лития», Nano Energy 75 , 104916 (2020).

[16] С. М. Ноймайер, Л. Тао, А. О’Хара, Дж. Брем, М. Си, П.-Й. Ляо, Т. Фэн. С. В. Калинин, П. Д. Е., С. Т. Пантелидес, П. Максимович, Н. М. Балке, “Выравнивание поляризации против электрического поля в ван-дер-ваальсовых сегнетоэлектриках”, Phys. Ред. A. 13 , 064063 (2020).

[17] Р. Васудеван, С.М. Ноймайер, М. А. Суснер, М. А. Макгуайр, С. Т. Пантелидес, П. Максимович, Д. Н. Леонард, Н. Балке, А. Ю. Борисевич, “Домены и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических материалах”, ACS Appl. Nano Mater. 3 , 8161 (2020).

[18] А. Дзяугис, К. Келли, Дж. А. Брем, А. Пурецкий, Т. Фенг, С. Ноймайер, М. Чяснавичюс, Е. А. Елисеев, Дж. Банис, Ю. Высочанский, Ф. Е, Б. Чакумакос, М.А. Макгуайр, С.В. Калинин, Г. Панчапакесан, С.Т. Пантелидес, Н. Балке, А.Н. Морозовская, П. Максимович, “Пьезоэлектрические доменные границы в ван-дер-ваальсовом сегнетоэлектрике CuInP ₂ Se ₆ ”, Nature Comm. 11 , 1 (2020).

[19] С. М. Ноймайер, Дж. Брем, Л. Тао, А. О’Хара, П. Ганеш, С. Джесси, М. Суснер, М. МакГуайр, С. Т. Пантелидес, П. Максимович, Н. Балке, «Местные Картирование деформации и поляризации в сегнетоэлектрических материалах », ACS Appl. Матер. Интер. 12 , 38546 (2020)

[20] Л. Лю, Л.Wu, A. Wang, H. Liu, R. Ma, K. Wu, J. Chen, Z. Zhou, Y. Tian, ​​H. Yang, C.-M. Шен, Л. Бао, З. Цинь, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, “Фотоприемники InSe с сегнетоэлектрическим стробированием с высокими отношениями включения / выключения и светочувствительностью”, Nano Lett . 20 , 6666 (2020).

[21] К. Аппаву, Дж. Наг, Б. Ван, В. Луо, Г. Душер, Э. А. Пайзант, М. Ю. Сфейр, С. Т. Пантелидес, Р. Ф. Хаглунд-младший, «Электронная динамика и динамика решетки, управляемая допингом в фазе изменение материала диоксида ванадия », Phys.Ред. B . 102 , 115148 (2020).

[22] С.М. Ноймайер, А. Моразовска, Э. Елисеев, Дж. Брем, М.А. Суснер, М.А. Макгуайр, С.Т. Пантелидес, П. Максимович, Н. Балке, «Концепция отрицательной емкости в ионно-проводящей ван-дер-ваальсовой системе. сегнетоэлектрики », Adv. Ener. Матер. 10 , 2001726 (2020).

[23] Х. Го, X. Ван, Л. Хуанг, X. Цзинь, Z.-Z. Ян, З. Чжоу, Х. Ху, Й.-Й. Чжан, Х. Лу, К. Чжан, К. Шен, X. Линь, Л. Гу, К. Дай, Л.-Х.Бао, С. Ду, В. Хофер, С. Т. Пантелидес, Х.-Дж. Гао, «Изоляция SiO ₂ под сантиметровым монокристаллом, монокристаллический графен позволяет изготавливать электронные устройства», Nano Lett 20 , 8584 (2020).

[24] О. С. Овчинников, А. О’Хара, С. Джесси, Б. М. Худак, С.-З. Ян, А. Lupini, M. F. Chisholm, W. Zhu, s. В. Калинин, А. Ю. Борисевич, С. Т. Пантелидес, “Обнаружение дефектов в изображениях материалов с атомным разрешением с помощью циклического анализа”, Adv.Struct. Chem. Представь. 6 , 1 (2020).

2019

[1] Дж. Фанг, М. Реаз, С. Л. Виден-Райт, Р. Д. Шримпф, Р. А. Рид, Р. А. Веллер, М. В. Фишетти и С. Т. Пантелидес, «Понимание средних энергий рождения электронно-дырочных пар в кремнии. и германий из полнополосного моделирования методом Монте-Карло », IEEE Trans. Nucl. Sci. 66 , 444 (2019).

[2] П. Ван, Х. Калита, А. Кришнапрасад, Д. Дев, А.О’Хара, Р. Цзян, Э. Чжан, Д. М. Флитвуд, Р. Д. Шримпф, С. Т. Пантелидес и Т. Рой, «Реакция на полную ионизирующую дозу транзисторов MoS2 с затворными диэлектриками ZrO2 и h-BN», IEEE Trans. Nucl. Sci. 66 , 420 (2019).

[3] Дж. Лю и С.Т. Пантелидес, «Пироэлектрический отклик и температурно-индуцированные фазовые переходы α-β в монослоях α-III2VI3 (III = Al, Ga, In; VI = S, Se)», 2D Mater . 6 , 025000 (2019).

[4] С. М. Ноймайер, Э.А. Елисеев, М. А. Суснер, А. Целев, Б. Дж. Родригес, Дж. А. Брем, С. Т. Пантелидес, Г. Панчапакесан, С. Джесси, С. В. Калинин, М. А. Макгуайр, А. Н. Морозовская, П. Максимович, Н. Балке, «Гигантская отрицательная электрострикция и диэлектрическая проницаемость в слоистом сегнетоэлектрике Ван-дер-Ваальса ”, Phys. Rev. Mater. 3 , 024401 (2019).

[5] М. Хонг, Ю. Ван, Т. Фэн, К. Сунь, С. Сюй, С. Мацумура, С. Т. Пантелидес, Дж. Цзоу и З.-Г. Чен, “Сильные собственные фонон-фононные взаимодействия, обеспечивающие необычный термоэлектрический Ge1-xSbxTe с выравниванием зон, вызванным легированием Zn”, J.Являюсь. Chem. Soc. 141 , 1742 (2019).

[6] Z. Cheng, A. Weidenbach, T. Feng, MB Tellekamp, ​​S. Howard, MJ Wahila B. Zivasatienraj, B. Foley, ST Pantelides, LFJ Piper, W. Doolittle, S. Graham, «Diffusion» сверхнизкая теплопроводность в аморфном Nb ₂ O ₅ ”, Phys. Rev. Mater. 3 , 025002 (2019.

[7] M. Jin, X.-L. Ши, Т. Фэн, В. Лю, Х. Фэн, С. Т. Пантелидес, Дж. Цзян, Ю. Чен, Ю.Ду, Дж. Цзоу, З.-Г. Чен, «Сверхбольшие монокристаллы Sn1-xSe с превосходными термоэлектрическими характеристиками», ACS Appl. Матер. Интерфейсы 11 , 8051 (2019).

[8] С.-З. Ян, В.-В. Вс, Ю.-Ю. Чжан, Ю. Гонг, М. Оксли, А. Р. Лупини, П. Аджаян, М. Ф. Чизхолм, С. Т. Пантелидес, В. Чжоу, «Прямой катионообмен в монослое MoS2 через миграцию, усиленную« взрывной »рекомбинацией», Phys. Rev. Lett. 122 , 106101 (2019).

[9] X. Shi, A.Ву, Т. Фэн, К. Чжэн, В. Лю, М. Хун, К. Сунь, С. Т. Пантелидес, З.-Г. Ченг и Дж. Цзоу, «Высокие термоэлектрические характеристики поликристаллического SnSe, легированного кадмием p-типа, достигаемого комбинацией катионных вакансий и инженерии локализованной решетки», Adv. Energ. Матер. 9 , 1803242 (2019).

[10] J. A. Hachtel, S. Y. Cho, R. B. Davidson II, M. F. Chisholm, R. F. Haglund, J.-C. Идробо, С. Т. Пантелидес, Б. Дж. Лори, «Пространственно и спектрально разрешенные взаимодействия орбитального углового момента в генераторах плазмонных вихрей», Light: Science & Applications 8 , 33 (2019).

[11] Дж. Фанг, М. В. Фишетти, Р. Д. Шримпф, Э. Беллотти, С. Т. Пантелидес, «Электронно-транспортные свойства транзисторов AlxGa1-xN / GaN на основе расчетов из первых принципов и моделирования методом Монте-Карло с помощью уравнения Больцмана», Phys. Rev. Appl. 11 , 044045 (2019).

[12] М. Сагаежян, С. Кузер, З. Ван, Х. Го, Р. Цзинь, Дж. Чжан, Ю. Чжу, С. Т. Пантелидес, Э. У. Пламмер, «Определение спонтанного перемагничивания в оксиде в атомном масштабе. гетероструктуры ”, Proc.Natl. Акад. Sci. США 116 , 10309 (2019.

[13] Z. Cheng, T. Bai, J. Shi, T. Feng, Y. Wang, M. Mecklenburug, C. Li, KD Hobart, T.I Feygelson, MJ Tadjer, BB Pate, BM Foley, L. Yates , С. Т. Пантелидес, Б. А. Кола, М. Горски, С. Грэхем, «Настраиваемый перенос тепловой энергии через алмазные мембраны и границы раздела алмаз-Si с помощью наноразмерной графоэпитаксии», ACS Appl. Матер. Интер. 11 , 18517 (2019).

[14] Б.M. Hudak, W. Sun, J. Mackey, A. Sehilioglu, F. Dynys, S. T. Pantelides, B. S. Guiton, «Наблюдение квадратно-ланарного искажения в кристаллах скуттерудита, допированных лантаноидами», J. Phys. Chem. 123 , 14632 (2019).

[15] А. Д. Ойеделе, С. Ян, Т. Фенг, Ю. Гу, А. Хаглунд, А. А. Пурецки, Д. Бриггс, К. Роуло, М. Ф. Чисхолм, Р. Р. Уноцич, Д. Мандрус, Д. Б. Геохеган, С. Т. Пантелидес, К. Сяо, «Опосредованное дефектами фазовое превращение в анизотропных кристаллах 2D PdSe ₂ для бесшовных электрических контактных устройств», J.Амер. Chem. Soc. 141 , 8928 (2019).

[16] Б. Р. Таттл, Т. Саммерс, К. Баргер, Дж. Нунан, С. Т. Пантелидес, «Теория фотоионизационных дефектов в нанопористых сплавах SiC», J. Appl. Phys. 125 , 215703 (2019).

[17] J. Bonacum, A. O’Hara, J.-C. Идробо, О. С. Овчинников, Р. Ф. Хаглунд, С. Т. Пантелидес, К. Болотин, “Визуализация с атомным разрешением и легирующие эффекты сложных структур в интеркалированном двухслойном графене”, Phys.Rev. Mater. 3 , 064004 (2019).

[18] К. Гао, Л. Тао, Ю.-Й. Чжан, С. Ду. S. T. Pantelides, J. C. Idrobo, W. Zhou, H.-J. Гао, «Спектроскопическая сигнатура краевых состояний в гексагональном нитриде бора», Nano Research 12 , 1663 (2019).

[19] С. Ян, П. Манчанда, Ю. Гонг, С. Т. Пантелидес, В. Чжоу, М. Ф. Чизхолм, “Электронная структура и взаимодействие кластеров РЗЭ в монослое MoS2”, Microsop. Микроанал. 25 , 506 (2019).

[20] З.-Л. Лю, Б. Лей, З.-Л. Чжу, Л. Тао, Дж. Ци, Д.-Л. Бао, X. Ву, Л. Хуанг, Y.-Y. Чжан, Х. Линь, Ю.-Л. Ван, С. Ду, С. Т. Пантелидес, Х.-Дж. Гао, “Самопроизвольное формирование одномерного рисунка в монослое VSe2 с дисперсионной адсорбцией атомов Pt для катализа HER”, Nano Lett. 19 , 4897 (2019).

[21] Р.-С. Ма, Дж. Ма, Дж. Ян, Л. Ву, Х. Лю, В. Го, С. Ван, К. Хуан, Л. Бао, С. Ду, С. Т. Пантелидес, Х. Дж. Гао, «Прямое зондирование несовершенства- индуцированная электрическая деградация в миллиметровом графене на подложках SiO ₂ », 2D Mater. 6 , 045033 (2019).

[22] Х. Чен, X.-L. Чжан, Д. Ван, Д.-Л. Бао, Ю. Цюэ, В. Сяо, С. Ду, М. Оуян, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, «Оригами графеновые наноструктуры с атомарной точностью, нестандартные конструкции», Science 365 , 1036 (2019).

[23] Х. Го, Х. Ван, К. Цянь, Дж. Ян, Л. Бао, Х. Лу, Й. Чжан, Г. Ли, Л. Хуанг, Х. Линь, С. Ду, С. Т. Пантелидес , Х.-Дж. Гао, “Монокристаллический двухслойный графен с AB-стопкой на изолирующих подложках”, 2D Mater. 6 , 045044 (2019).

[24] Дж. Лю, С. Лю, Б. Ханрахан и С. Т. Пантелидес, «Происхождение пироэлектричества в сегнетоэлектрике HfO ₂ », Phys. Rev. Appl. 12 , 034032 (2019).

[25] Х. Симс, Д. Н. Леонард, А. Ю. Биренбаум, З. Ге, Л. Ли, В. Р. Купер, М. Ф. Чисхолм, С. Т. Пантелидес, «Собственные межфазные ван-дер-ваальсовые монослои и их влияние на высокотемпературный сверхпроводник FeSe / SrTiO. ₃ ”, Phys.Ред. B. 14 , 144103 (2019).

[26] М. Даргуш, X.-L. Shi, X.Q. Tran, T. Feng, F. Somidin, X. Tan, W. Liu, K. Jack, J. Венесуэла, H. Maeno, T. Toriyama, S. Matsumura, S. T. Pantelides, Z.-G. Чен, «Наблюдение на месте непрерывного фазового перехода в определении высоких термоэлектрических характеристик поликристаллического Sn _0,98 Se», J. Phys. Chem. Lett. 10 , 6512 (2019).

[27] М. Менг, З. Ван, А. Фатима, С. Гош, М.Сагаежян, Р. Цзинь, Ю. Чжу, С. Т. Пантелидес, Дж. Чжан, В. Пламмер и Х. Го, «Магнитная полярная металлическая фаза, индуцированная границей раздела в сложных оксидах», Nat. Commun. 10 , 5248 (2019).

[28] П. Ван, К. Дж. Перини, А. О’Хара, Х. Гонг, П. Ван, Д. М. Флитвуд, Р. Д. Шримпф, С. Т. Пантелидес, Е. М. Фогель, «Эффекты общей ионизирующей дозы и вызванное протонами смещение повреждения. на туннельных переходах MoS ₂ -межслойный-MoS2 ”, IEEE Trans. Nucl. Sci. 66 , 420 (2019).

[29] С. Боналдо, С. Е. Чжао, А. О’хара, М. Горчичко, Э. С. Чжан, С. Герардин, А. Пакканелла, Н. Валдрон, Н. Колларт, Д. Линтен, С. Т. Пантелидес, Р. А. Рид, Р. Д. Шримпф, Д. М. Флитвуд, «Низкочастотный шум и дефекты, вызванные облучением полной ионизирующей дозой в 16-нм InGaAs FinFETs», IEEE Trans. Nucl. Sci. 67 , 210 ( 2019).

2018

[1] C.E. Marvinney, X. Shen, J.R. McBride, D. Critchlow, Z. Li, D.К. Мэйо, Р.Р. Му, С.Т. Пантелидес, Р.Ф. Хаглунд, “Влияние структуры материала на фотолюминесценцию нанопроволок ядро-оболочка ZnO / MgO”, Chem. Нано. Матер. 2018 (4), 1-11, 19 января 2018 г.

[2] Ю.-Н. Ву, X.-G. Чжан, С. Пантелидес, «Ву, Чжан и Пантелидес отвечают на« Фундаментальное разрешение трудностей теории заряженных точечных дефектов в полупроводниках »», Phys. Rev. Lett. 3 (120), 039604, 19 января 2018 г.

[3] Дж. Линь, Дж. Чжоу, С. Сулуага, П.Ю, З. Лю, С. Пантелидес, К. Суэнага, «Анизотропное упорядочение в слоях 1T’ дителлурида молибдена и вольфрама, легированных серой и селеном », ACS Nano 18 (1), 894-901, 23 января 2018 г.

[4] Дж. А. Hachtel, S.Y. Чо, Р. Б. Дэвидсон II, М. Ф. Чисхолм, Р.Ф. Haglund, J.C. Idrobo, S.T. Пантелидес, Б.Дж. Лори, “Получение изображений сложных плазмонных мод в ближнем поле в ближней зоне с поляризационным разрешением и разрешением по длине волны в архимедовых наноспиралях”, Opt. Lett. 4 (43), 927-930, 15 февраля 2018 г.

[5] J.C. Idrobo, A.R. Лупини, Т. Фенг, Р.Р. Уноцич, Ф.С. Walden, D.S. Gardiner, T.C. Лавджой, Н. Делби, С.Т. Пантелидес, О. Криванек, “Измерение температуры наноразмерным электронным зондом с использованием спектроскопии выигрыша и потерь энергии”, Phys. Rev. Lett. 9 (120), 095901, 2 марта 2018 г.

[6] Дж. А. Брем, Дж. Линь, Дж. Чжоу, С.Т. Пантелидес, «Индуцированный электронным пучком синтез гексагонального 1 H -MoSe4 ² из квадратного бета-FeSe, украшенного адатомами Mo», Nano Lett. 18 (3), 2016-2020, 13 марта 2018 г.

[7] W. Zhou, Y.-Y. Чжан, Дж. Чен, Д. Ли, Дж. Чжоу, З. Лю, М.Ф. Чисхолм, С. Пантелидес, К. Лох, “Дислокационный рост двумерных сверхрешеток с боковыми квантовыми ямами”, Sci. Adv. 4 (3), 9096, 23 марта 2018 г.

[8] D. L. Bao, Y.Y. Чжан, С. Пантелидес, С.-Х. Du, H.-J. Гао, «Безбарьерный процесс металлизации на поверхности молекул на основе порфирина», J. Phys. Chem. C 122 (12), 6678-6683, 29 марта 2018 г.

[9] C. D. Liang, Y. Su, A. O’Hara, E.X. Чжан, М. Аллес, П. Ван, С.Е. Чжао, С. Пантелидес, С.Дж. Кестер, Р.Д. Шримпф, Д.М. Флитвуд, «Дефекты и низкочастотный шум в облученных полевых МОП-транзисторах с черным фосфором и затворными диэлектриками HfO2», IEEE Trans. Nucl. Sci. 65 (6), 1227-1238, 19 апреля 2018 г.

[10] J. Liu, C.-Y. Лай, Ю.-Й. Чжан, М. Кьеза, С.Т. Пантелидес, «Смачиваемость графена водой: взаимодействие между межфазной структурой воды и электронной структурой», RSC Adv. 8, 16918, 8 мая 2018 г.

[11] Б. М. Худак, Дж. Сонг, Х. Симс, М.С. Тропаревский, С. Pantelides, P.C. Снайдерс, А. Лупини, «Направленная атомная сборка примесей в кремнии», ACS Nano 12 (6), 5873-5879, 11 мая 2018 г.

[12] Дж. Лю, С. Т. Пантелидес, “Механизмы пироэлектричества в трехмерных и двумерных материалах”, Phys. Rev. Lett. 120 (20), 207602, 17 мая 2018 г.

[13] Б. Сю, Т. Фэн, З. Ли, С. Т. Пантелидес, Ю.Ву, «Создание высокопористых термоэлектрических монолитов с высокими характеристиками и улучшенной переносимостью из синтезированных в растворе нанокристаллов с контролируемой формой», Nano Lett. 18 (6), 4034-4039, 28 мая 2018 г.

[14] Г. Меттела, С. Кузер, С. Соу, С. Т. Пантелидес и Г. У. Кулькарни, «Благороднее благороднейшего: некубические микрокристаллиты золота», Angew. Chem. Int. Эд. DOI: 10.1002 / anie.201804541, 30 мая 2018 г.

[15] S. Zuluaga, J. Lin, K. Suenaga, S.T.Пантелидес, «Двумерные переходы PdSe2-Pd2Se3 могут служить в качестве нанопроволок», 2D Mater . 5 (3), 035025, 1 июня 2018 г.

[16] Дж. Уилан, М. Кациотис, С. Стивен, Г. Лукачан, А. Таралекшми, Д. Бану, Ж.-К. Идробо, С. Пантелидес, Р. Владеа, И. Бану, С. Аль-Хассан, «Однослойные кобальт-молибденовые нанокатализаторы, декорированные на углеродных нанотрубках, и влияние условий приготовления на их каталитическую активность гидрообессеривания», Energy Fuels , 19 июня 2018 г.

[17] Х. Чен, Й. Цюэ, Л. Тао, Й.Й. Чжан, В. Сяо, Д. Ван, С.-Х. Пыль. Пантелидес, Х.-Дж. Гао, “Восстановление краевых состояний графеновых наноостровков на металлической подложке интеркаляциями кремния”, Nano Res. 11 (7), 3722-3729, 1 июля 2018 г.

[18] В. Цициос, К. Димос, С. Альхассан, А. Кулумпис, Д. Гурнис, Н. Букос, Р. Михра, М. Ролдон, Ж.-К. Идробо, С. Пантелидес, А. Борисевич, М. Каракасидес, Дж. Басина, Й. Альвахеди, Х. Дж. Ким, М. Фардис, С. Пенникук, Г.Папавасилеу, «Быстрый рост MoS2 на восстановленном оксиде графена жидкофазным методом», Front. Матер. 5 (29), 2 июля 2018 г.

[19] Н. Балке, С. М. Ноймайер, Дж. А. Брем, М. А. Суснер, Б. Дж. Родрикес, С. Джесси, С. В. Калинин, С. Т. Пантелидес, М. А. Макгуайр и П. Максимович, «Локально контролируемый перенос ионов Cu в слоистом сегнетоэлектрике CuInP _{. 2} S ₆ ”, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 10 (32), 27188-27194, 23 июля 2018 г.

[20] Н.Хо, Янь Ю., Я.-Н. Ву, X.-G. Чжан, С. Т. Пантелидес, Г. Константатос, «Высокая подвижность носителей в однослойном CVD-выращенном MoS2 за счет подавления фононов», Nanoscale 2018, 15071-15077, 24 июля 2018 г.

[21] Х. Чен, Д.-Л. Бао, Д. Ван, Ю. Цюэ, В. Сяо, Г. Цянь, Х. Го, Дж. Сунь, Ю.-Й. Чжан, С. Ду, С.Т. Пантелидес, Х.-Дж. Гао, “Изготовление монокристалла миллиметрового гидрированного на одну треть графена с анизотропными свойствами”, Adv. Матер. 30 (32), 1801838, 6 августа 2018 г.

[22] B. Xu, T. Feng, X. Li, S.T. Пантелидес, Ю. Ву, «Создание разрывов разрывов Ван-дер-Ваальса в виде застежки-молнии в наноструктурированном PbBi2nTe1 + 3n, подвергнутом низкотемпературной обработке, для усиления рассеяния фононов и улучшения термоэлектрических характеристик», Angew. Chem. Int. Эд. 57 (34), 10938-10943, 20 августа 2018 г.

[23] Дж. Лю и С. Т. Пантелидес, «Электросмачивание двумерных диэлектриков: исследование квантовой молекулярной динамики «, J. of Phys. Cond. Иметь значение. 30 (37), 375001, 22 августа 2018 г.

[24] Дж. Лю и С. Т. Пантелидес, «Анизотропное тепловое расширение монохалькогенидных монослоев группы IV», Appl. Phys. Exp. 11 (10), 101301, 28 августа 2018 г.

[25] R. Jiang, S. Xhen, J.T. Фэн, П. Ван, Э. Чжан, Дж. Чен, Д.М. Флитвуд, Р.Д. Шримпф, С.В. Каун, E.C.H. Кайл, Дж. Спек С.Т. Пантелидес, «Множественные дефекты вызвали деградацию после высокого напряжения поля в AlGaN / GaN HEMTs», IEEE Trans. Device Mater. Ред. 18 (3), 364-376, 1 сентября 2018 г.

[26] Дж. Лю, О. Б. Вани, С. М. Альхассан, С. Т. Пантелидес, «Изменение смачиваемости и повышение нефтеотдачи, вызванные проксимальной адсорбцией ионов Na ₊ , Cl-, Ca ₂ T и SO42- на кальцит », Phys. Rev. Appl. 10 (3), 034064, 27 сентября 2018 г.

[27] О.С. Овчинников, А. О’Хара, Р. Николл, К. Болотин, Дж. Хахтель, А. Люпин, С. Джесси, А.Ю. Борисевич, С.Т. Пантелидес, С.В. Калинин, «Теоретическое определение наночастиц. -колебание в изображениях с атомным разрешением двухслойного графена с рассогласованием по углам ”, 2D Mater. 5 (4), 041008, 7 сентября 2018 г.

[28] Г. Санчес-Сантолино, Дж. Салафранка, С. Т. Пантелидес, С. Дж. Пенникук, К. Леон и М. Варела, «Локализация сегрегации иттрия в ядрах дислокации границ зерен YSZ», Phys. Статус Solidi A 215 , 1800349, 10 октября 2018 г.

[29] L. Tao, W. Guo, Y.-Y. Чжан, Ю.-Ф. Чжан, С. Ду, С.Т. Пантелидес, Х.-Дж. Гао, «Квантовый щелкунчик для диссоциации водорода при температуре, близкой к комнатной», Science Bulletin 64 , 4, 15 ноября 2018 г.

[30] Э. Ши, Т. Фэн, Ж.-Х. Бахк, Ю. Пан, В. Чжэн, З. Ли, Г. Дж. Снидр, С. Т. Пантелидес, «Экспериментальное и теоретическое исследование хорошо настраиваемого легирования наноразмерных оксидов металлов в высокоэффективные термоэлектрики», Energ. Environ. Sci. 2 , 43, 14 ноября 2018 г.

[31] Дж. Чжу, Т. Фэн, С. Миллс, П.-П. Ван, Х. В. Ву, Л. Чжан, С. Т. Пантелидес, Х. Ду и Х. Ван, “Рекордно низкая и анизотропная теплопроводность квазиодномерного объемного монокристалла ZrTe5”, ACS Appl.Матер. Интерфейсы 10 , 40740, 28 ноября 2018 г.

[32] Y. Cao, Y.-F. Чжан, Л. Хуан, Дж. Ци, К. Чжан, Х. Линь, З. Ченг, Я.-Й. Zhang, X. Feng, S. Du, S. T. Pantelides, H.-J. Гао, “Настройка морфологии графеновых нанолент шевронного типа путем выбора температуры отжига”, Nano Res. 11 , 6190, 1 декабря 2018 г.

[33] Г. Ли, Л. Чжан, В. Сю, С. Сун, Ю. Чжан, Х. Чжоу, Ю. Ван, Л. Бао, Ю.-Й. Чжан, С. X. Ду, С. Т. Пантелидес, Х.-J. Гао, «Стабильный силикон в гетероструктуре Ван-дер-Ваальса графен / силикон», Adv. Матер. 30 , 1804650, 6 декабря 2018 г.

[34] П. Ван, С. Дж. Перини, А. О’Хара, Х. Гонг, П. Ван, Д. М. Флитвуд, Р. Д. Шримпф, С. Т. Пантелидес и Е. М. Фогель, «Эффекты общей ионизирующей дозы и смещение, индуцированное протонами. повреждение туннельных переходов MoS2-межслойный-MoS2 », IEEE Trans. Nucl. Sci. , онлайн, 7 декабря 2018 г.

[35] С. З. Ян, Я. Гонг, П.Манчанда, Ю.-Й. Чжан, Г. Е., С. Т. Пантелидес, П. М. Аджаян, М. Ф. Чизолм, В. Чжоу, «Легированный рением и стабилизированный атомный слой MoS ² с каталитической активностью в базисной плоскости», Adv. Матер. 30 , 1803477, 20 декабря 2018 г.

[36] EA Hernandez-Pagan, A. O’Hara, SL Arrowood, JR McBride, J. Rhodes, ST Pantelides, JE Macdonald, «Трансформация анионной подрешетки при катионообменном синтезе Au2S из Cu2S», Chem.Матер. 30 , 88438851, 26 декабря 2018 г.

2017

[1] EX Zhang, DM Fleetwood, JA Hachtel, C. Liang, RA Reed,
ML Alles, RD Schrimpf, D. Linten, J. Mitard, MF Chisholm и ST Pantelides, «Влияние общей ионизирующей дозы на напряженный Ge pMOS FinFETs на массивном Si », IEEE Trans. Nucl. Sci. 64 (1), 226-232, январь 2017 г.

[2] R. Jiang, E. X. Zhang, M. W. McCurdy, J. Chen, X. Shen, P. Wang, D. M. Fleetwood, R.Д. Шримпф, С. В. Каун, Э. К. Х. Кайл, Дж. С. Спек и С. Т. Пантелидес, «Смещение наихудшего случая для протонного и рентгеновского облучения 10 кэВ HEMTs AlGaN / GaN», IEEE Trans. Nucl. Sci. 64 (1), 218-225, январь 2017 г.

[3] Дж. Чжоу, Ф. Лю, Дж. Линь, X. Хуанг, Дж. Ся, Б. Чжан, К. Цзэн, Х. Ван, К. Чжу, Л. Ню, X. Ван, В. Fu, P. Yu, TR Chang, CH Hsu, D. Wu, HT Jeng, Y. Huang, H. Lin, Z. Shen, C. Yang, L. Lu, K. Suenaga, W. Zhou, ST Pantelides, Г. Лю, З. Лю, “2D теллурид переходных металлов с большой площадью и высокое качество”, Adv.Матер. 29 (3), 1 января 2017 г.

[4] Х. Олдридж, А. Г. Линд, К. К. Бомбергер, Ю. Пузырев, Дж. М. Зиде, С. Т. Пантелидес, М. Э. Лоу, “Стратегии легирования N-типа для InGaAs”, Матем. Sci. в Semicon. Proc. 62, 171-179, 4 января 2017 г.

[5] Б. Р. Таттл, Н. Дж. Хелд, Л. Х. Лам, Й.-Й. Чжан, С. Т. Пантелидес, «Свойства гидрированного нанопористого SiC: исследование ab initio», J. Nanomater. 2017, 10 января, 2017.

[6] А. Д. Ла Круа, А. О’Хара, К. Р. Рейд, Н. Дж. Орфилд, С.Т. Пантелидес, С. Дж. Розенталь, Дж. Э. Макдональд, «Дизайн лиганда, улавливающего дырку», Nano Lett. 17 (2), 909-914, 19 января 2017 г.

[7] Л. Хуанг, Ю.-Ф. Чжан, Ю.-Й. Zhang, W. Xu, Y. Que, E. Li, J. B. Pan, Y. L. Wang, Y. Liu, S.-X. Du, S. T. Pantelides, H.-J. Гао, “Последовательность выращивания монослойных структур кремния на поверхности Ru: от структуры в елочку до силицена”, Nano Lett. 17 (2), 1161-1166, 23 января 2017 г.

[8] Б. Р. Таттл, С. Т. Пантелидес, «Свойства изолированных оборванных связей на гидрированных поверхностях 2H-SiC», Surf.Sci. 656, 109-114, 28 февраля 2017 г.

[9] S. Xu, X. Shen, K. A. Hallman, R. F. Haglund Jr., S. T. Pantelides, “Единое теоретико-зонное описание структурных, электронных и магнитных свойств фаз диоксида ванадия”, Phys. Ред. B 95 (12), 125105, 6 марта 2017 г.

[10] G. Wang, L. Bao, R. Ma, T. Pei, Y.-Y. Чжан, Л. Ву, З. Чжоу, Х. Ян, Дж. Ли, К. Гу, С. Ду, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, «От двунаправленного выпрямителя к транзистору с контролируемой полярностью на черном фосфоре путем модуляции двойного затвора», 2D Mater.4 (2), 025056, 24 марта 2017 г.

[11] A. O’Hara, R.E. Kahn, Y.-Y. Чжан, С. Т. Пантелидес, «Опосредованная дефектами утечка в двухслойном графеме, интеркалированном литием», AIP Adv. 7 (4), 045205, апрель 2017 г.

[12] Б. Таттл, С. Альхассан, С.Т. Пантелидес, «Вычислительные прогнозы для одномерных материалов на основе халькогенидов с однократным изменением», Наноматериалы 7 (5), 115, 17 мая 2017 г.

[13] Дж. Х. Янг, Ю. М. Ким, К. Хе, Р. Мишра, Л. Цяо, М. Д. Бегальский, А. Р. Лупини, С.Т. Пантелидес, С. Дж. Пенникук, С. В. Калинин, А. Ю. Борисевич, «Наблюдение in-situ динамики кислородных вакансий и упорядочения в эпитаксиальной системе LaCoO3», ACS Nano 11 (7), 11 июня 2017 г.

[14] X. Lin, J.C. Lu, Y. Shao, Y.-Y. Чжан, X. Ву, Дж. Б. Пан, Л. Гао, С. Ю. Чжу, К. Цянь, Ю.-Ф. Чжан, Д.-Л. Бао, Л. Ф. Ли, Ю. К. Ван, З. Л. Лю, Дж. Т. Сан, Т. Лей, К. Лю, Дж. О. Ван, К. Ибрагим, Д. Н. Леонард, В. Чжоу, Х. М. Го, Ю.-Л. Ван, С.-Х. Du, S. T. Pantelides, H.-J. Гао, “Двумерные материалы с внутренней структурой для селективной адсорбции молекул и нанокластеров”, Nat.Матер. 16, 717-721, 12 июня 2017 г.

[15] Х. Го, З. Ван, С. Донг, С. Гош, М. Сагаежян, Л. Чен, Ю. Вен, А. Херклотц, Т. З. Уорд, Р. Джин, С. Т. Пантелидес, Ю. Чжу, Дж. Чжан, Э. У. Пламмер, «Мультиферроизм, индуцированный границей раздела в сложных оксидных сверхрешетках», P. Natl. Акад. Sci. USA 114 (26), E5062-E5062, 27 июня 2017 г.

[16] Д. Фу, X. Чжао, Y.-Y. Чжан, Л. Ли, Х. Сю, А. Р. Джанг, С. И. Юн, П. Сон, С. М. По, Т. Рен, З. Дин, В. Фу, Т. Дж. Шин, Х. С. Шин, С.Т. Пантелидес, В. Чжоу, К. П. Ло, «Молекулярно-лучевая эпитаксия высококристаллического монослойного дисульфида молибдена на гексагональном нитриде бора», J. Am. Chem. Soc. 139 (27), 9392-9400, 3 июля 2017 г.

[17] J. Lin, S. Zuluaga, P. Yu, Z. Liu, S. T. Pantelides, K. Suenaga, “Новая двумерная фаза Pd2Se3, вызванная межслоевым синтезом в слоистом PdSe2”, Phys. Rev. Lett. 119 (1), 016101, 6 июля 2017 г.

[18] Х. Чен, Т. Поуп, З. Ву, Д. Ван, Л. Тао, Д.-Л. Бао, В. Сяо, Ж.-Л.Чжан, Ю.-Й. Чжан, С.-Х. Du, S. Gao, S. T. Pantelides, W. A. ​​Hofer, H.-J. Гао, “Свидетельства колебаний сверхнизких энергий в больших органических молекулах”, Nano Lett. 17 (8), 4929, 9 августа 2017 г.

[19] HD Ю, Ю. Лян, Х. Донг, Дж. Лин, Х. Ван, Ю. Лю, Л. Ма, Т. Ву, Ю. Ли, К. Ру, Ю. Цзин, К. Ан , W. Zhou, J. Guo, J. Lu, ST Pantelides, X. Qian, Y. Yao, “Быстрая кинетика катионов монохлорида магния в дисульфиде титана с межслойным расширением для перезаряжаемых аккумуляторов магния”, Nat.Commun. 8 (1), 339, 24 августа 2017 г.

[20] S. Zuluaga, P. Manchanda, Y.-Y. Чжан, С. Т. Пантелидес, «Разработка оптимально стабильных молекулярных покрытий для наночастиц на основе Fe в водных средах», ACS Omega 2 (8), 4480, 31 августа 2017 г.

[21] Ю.-Н. Ву, X.-G. Чжан, С. Т. Пантелидес, “Фундаментальное решение трудностей теории заряженных точечных дефектов в полупроводниках”, Phys. Rev. Lett. 119 (10), 105501, 7 сентября 2017 г.

[22] Р. Ма, К. Хуан, Л.Ву, Дж. Ян, В. Го, Ю.-Й. Чжан, С. Ван, Л. Бао, Ю. Лю, С.-Х. Du, S. T. Pantelides, H.-J. Гао, “Прямое четырехзондовое измерение сопротивления и подвижности границ зерен в графене миллиметрового размера”, Nano Lett. 17 (9), 5291-5296, 13 сентября 2017 г.

[23] Ю.-Ф. Чжан, Ю. Чжан, Г. Ли, Дж. Лу, Ю. Цюэ, Х. Чен, Р. Бергер, X. Фэн, К. Маллен, X. Линь, Y.-Y. Чжан, С. Ду, С. Т. Пантелидес, Х.-Ж. Гао, “Легированные серой графеновые наноленты с последовательностью четко выраженных запрещенных зон”, Nano Res. 10 (10), 3377-3384, 1 октября 2017 г.

[24] П. Ван, К. Перини, А. О’Хара, Б.Р. Таттл, Э. Чжан, Х. Гонг, Ч. Лян, Р. Цзян, В. Ляо, Д.М. Флитвуд, Р.Д. Шримпф, Э.М. Фогель, С.Т. Пантелидес, «Радиационно-индуцированный захват заряда и низкочастотный шум графеновых транзисторов», IEEE T. Nucl. Sci. PP (99), 10 октября 2017 г.

[25] Ю.С. Пузырев, X. Шен, C.X. Чжан, Дж. Хачтель, К. Ни, Б.К. Чой, Э. Чжан, Овчинников О., Шримпф Р. Флитвуд, С. Пантелидес, “Мемристивные устройства из пучков и сеток нанопроволок ZnO”, Прикл.Phys. Lett. 111 (15), 153504, 13 октября 2017 г.

[26] С. Гош, А.Ю. Борисевич, С. Пантелидес, “Создание сегнетоэлектрической сверхрешетки из металлических компонентов”, Phys. Rev. Lett. 119 (17), 177603, 25 октября 2017 г.

[27] S. May, S.T. Пантелидес, «Структурное« дельта-легирование »октаэдрических поворотов для создания локальной намагниченности в изовалентных сверхрешетках манганита», Phys. Rev. Lett. 119 (19), 197204, 8 ноября 2017 г.

[27] С. Прабхакар, Дж. Лю, Я.-Й. Чжан, С.Т. Пантелидес, «Атомно-масштабная теория изменения смачиваемости кальцитовых нефтяных скважин добавками в морской воде», Soc. Бензин. Англ. J., 13 ноября 2017.

[28] Дж. А. Сантана, Р. Мишра, Дж. Т. Крогель, А. Борисевич, P.R.C. Кент, С. Пантелидес, Ф.А. Реборедо, «Квантовые многочастичные эффекты в сверхрешетках дефектных оксидов переходных металлов», J. Chem. Теория вычисл. 13 (11), 5604-5609, 14 ноября 2017 г.

[29] Дж. Сонг, Б.М. Худак, Х.Р. Симс, Ю. Шарма, Т.З. Уорд, С. Пантелидес, А.Р. Лупини, П.С. Снайдерс, «Гомо-эндотаксиальные одномерные нанопроволоки Si», Nanoscale 10 (1), 260-267, 29 ноября 2017 г.

[30] X. Zhao, D. Fu, Z. Ding, Y.-Y. Чжан, Д. Ван, С.Дж. Тан, З. Чен, К. Ленг, Дж. Дан, В. Фу, П. Сонг, Ю. Ду, Т. Венкатесан, С.Т. Пантелидес, С.Дж. Pennycook, W. Zhou, K.P. Ло, “Реконструкции кромок с концевыми группами Mo в нанопористой пленке дисульфида молибдена”, Nano Lett. 18 (1), 482-490, опубликовано онлайн 18 декабря 2017 г.

2016

[1] Ю.Пузырев, X. Шен, С. Т. Пантелидес, “Прогноз гигантского термоэлектрического КПД в кристаллах с чересстрочной наноструктурой”, Nano Lett. 16, 212-125, января 2016 г.

[2] Т. Кишида, М. Д. Капетанакис, Дж. Ян, Б. С. Сэйлс, С. Т. Пантелидес, С. Дж. Пенникук и М. Ф. Чизхолм, «Магнитное упорядочение в Sr3YCo4O10 + x», Sci. Отчет 6, 19762, 28 января 2016 г.

[3] GL Ye, Y. Gong, J. Lin, B. Li, YM He, ST Pantelides, W. Zhou, R. Vajtai и PM Ajayan, «Дефекты сконструированы монослоем MoS2 для улучшения реакции выделения водорода», Nano Lett.16, 1097-1103, февраль 2016 г.

[4] Дж. Лин, Ю. Ю. Чжан, В. Чжоу и С. Т. Пантелидес, «Структурная гибкость и легирование в ультратонких халькогенидных нанопроволоках переходных металлов», ACS Nano, 10, 2782-2790, февраль 2016 г.

[5] Т. Пей, Л. Бао, Г. Ван, Р. Ма, Х. Ян, Дж. Ли, К. Гу, С. Т. Пантелидес, С. Ду и Х. Гао, «Мало-слойные транзисторы SnSe2. с высокими коэффициентами включения / выключения », Прил. Phys. Lett. 108, 053506, 1 февраля 2016 г.

[6] А. Лич, Х. Шен, А. Фауст, М. К. Кливленд, А.Д. Ла Круа, У. Банин, С. Т. Пантелидес и Дж. Э. Макдональд, «Люминесценция дефектов нанокристаллов вюрцита CuInS2: комбинированный экспериментальный и теоретический анализ», J.Phys. Chem. C. 120, 5207-5212, 10 марта 2016 г.

[7] J. Hachtel, S. Yu, AR Lupini, ST Pantelides, M. Gich, A. Laromaine и A. Roig «Золотые нанотреугольники, украшенные суперпарамагнитными наночастицами оксида железа: исследование состава и микроструктуры», Faraday Discussions, 191, 215-227, 11 марта 2016 г.

[8] Дж.Газкес, Р. Гусман, Р. Мишра, Э. Бартоломе, Дж. Салафранка, К. Маген, М. Варела, М. Колл, А. Палау, С. М. Вальвидарес, П. Гаргиана, Э. Пеллегрин, Х. Эрреро-Мартин , SJ Pennycook, ST Pantelides, T. Puig и X. Obradors, «Возникновение разбавленного ферромагнетизма в высокотемпературных сверхпроводниках, обусловленное кластерами точечных дефектов», Adv. Sci. 3, 15 марта 2016 г.

[9] Я. Гонг, Г. Е, С. Лей, Г. Ши, Й. Хе, Дж. Лин, Х. Чжан, Р. Вайтай, С. Т. Пантелидес, В. Чжоу, Б. Ли и П. Аджаян , «Синтез монокристаллов дихалькогенидов переходных металлов миллиметрового размера», Adv.Funct. Мат. 26 марта 2009-2015 гг., 22 марта 2016 г.

[10] С. Мукерджи, Ю. Пузырев, Дж. Чен, Д. Флитвуд, Р. Шримпф и С. Т. Пантелидес, «Деградация горячих носителей в GaN HEMT из-за замещающего железа и его комплексов», IEEE Trans. Elec. Dev. 63, 1486-1494, апрель 2016 г.

[11] X. Li, M. Lin, J. Lin, B. Huang, AA Puretzky, C. Ma, K. Wang, W. Zhou, ST Pantelides, M. Chi, I. Kravchenko, J. Fowlkes, К. Роуло, Д. Геохеган и К. Сяо, “Двумерные двухслойные гетеропереходы GaSe / MoSe2 с несоответствием методом ван-дер-ваальсовой эпитаксии”, Научные науки.Adv. 2, e1501882, 15 апреля 2016 г.

[12] J. Hachtel, C. Marvinney, A. Mouti, D. Mayo, R. Mu, SJ Pennycook, AR Lupini, MF Chisholm, RF Haglund и ST Pantelides, «Исследование плазмонов в трех измерениях путем комбинирования дополнительных спектроскопий. в растровом просвечивающем электронном микроскопе », Нанотех. 27, 155202, 15 апреля 2016 г.

[13] Х. Хе, Дж. Линь, В. Фу, X. Ван, Х. Ван, К. Цзэн, К. Гу, Йи Ли, К. Ян, Б. К. Тай, К. Сюэ, X. Ху, С.Т. Пантелидес, В. Чжоу, З.Лю, “Гетероструктура MoS2 / TiO2 с ребром для эффективного фотокаталитического выделения водорода”, Adv. Energy Mater. 6 мая 2016 г., 1600464.

[14] Дж. Чен, Ю. Пузырев, Э. Чжан, Д. Флитвуд, Р. Шримпф, А. Арехарт, С. Рингель, С. Каун, Э. Кайл, Дж. Спек, П. Сонье, К. Ли и С.Т. Пантелидес, «Напряжение в сильном поле, низкочастотный шум и долговременная надежность AlGaN / GaN HEMT», IEEE Trans. Device Mater. Отн. 16, 282-289, 15 июня 2016 г.

[15] Р. Цзян, Х. Шен, Дж. Чен, Г.X. Дуан, E. X. Чжан, Д. М. Флитвуд, Р. Д. Шримпф, С. В. Каун, Э. К. Х. Кайл, Дж. С. Спек и С. Т. Пантелидес, «Эффекты деградации и отжига, вызванные кислородом в транзисторах AlGaN / GaN с высокой подвижностью электронов», Appl. Phys. Lett. 109, 023511, 13 июля 2016 г.

[16] Р. Мишра, Ю. Ким, К. Хе, X. Хуанг, С.К. Ким, М. Суснер, А. Бхаттачарья, Д. Д. Фонг, С. Т. Пантелидес, А. Борисевич, “К спин-поляризованному двумерному электронному газу на поверхности антиферромагнитного изолирующего оксида”, Phys.Ред. B. 94, 045123, 18 июля 2016 г.

[17] К. Хе, С. Гош, Э. Дж. Мун, С. Дж. Мэй, А. Р. Лупини, С. Т. Пантелидес и Альбина Ю. Борисевич, «Отслеживание связи BO6 в перовскитных сверхрешетках с поведением инженеров на магнитной границе», Microsc. Микроанал., 22, 904-905, 25 июля 2016 г.

[18] Х. Олдридж, А. Линд, К. Бомбергер, Ю. Пузырев, К. Хатем, Р. Г. Уильям, Дж. М. О. Зид, С. Т. Пантелидес, М. Лоу и К. Джонс, «Имплантация и диффузия слоев кремниевых маркеров. в In0.53Ga0.47As ”, J. Electr. Мат. 45, 4282-4287, август 2016 г.

[19] Ф. Лю, Л. Ю, К. Л. Сейлер, Х. Ли, П. Ю, Дж. Линь, X. Ван, Дж. Чжоу, Х. Ван, Х. Хе, С. Т. Пантелидес, В. Чжоу, P. Sharma, X. Xu, PM Ajayan, J. Wang и Z. Liu, «Сегнетоэлектричество при комнатной температуре в ультратонких хлопьях CuInP2S6», Nature Comm. 7, 12357, 11 августа 2016 г.

[20] X. Shen, T. J. Pennycook, D. Hernandez-Martin, A. Pérez, Y. Puzyrev, Y. Liu, S. G. E. te Velthuis, J. W. Freeland, P. Shafer, C. Zhu, M.Варела, К. Леон, З. Сефриуи, Дж. Сантамария и С. Т. Пантелидес, «Мемристивное переключение двухслойного манганита / купрата с высоким коэффициентом включения / выключения с помощью межфазного магнитоэлектричества», Adv. Мат. Интерф. 3, 1600086, 19 августа 2016 г.

[21] X. Шен, Ю. С. Пузырев, С. Комбс, С. Т. Пантелидес, “Изменчивость структурных и электронных свойств объемного и монослоя Si2Te3”, Appl. Phys. Lett. 109, 113104, 13 сентября 2016 г.

[22] М. Дж. Туро, X. Шен, Н. К. Брэндон, С. Кастильо, А. М.Фолл, С. Т. Пантелидес и Дж. Э. Макдональд, «Двухмодовая кристаллическая пассивация и пассивация X-типа квантовых точек», Chem. Comm. 52, 12214-12217, 16 сентября 2016 г.

[23] W. Zheng, J. Lin, W. Feng, K. Xiao, Y. Qiu, ST Pantelides, W. Zhou, XS Chen, G. Liu, W. Cao и PA Hu, «Узорчатый рост Атомные слои MoS2 p-типа с использованием золь-геля в качестве прекурсора », Adv.Funct. Мат. 26, 6371-6379, 19 сентября 2016 г.

[24] Ю. Ву, Х. Чжан и С. Т. Пантелидес, «Расчеты из первых принципов раскрывают принципы управления подвижностью носителей в полупроводниках», Semicond.Sci. Technol. 31, 115016 11 октября 2016 г.

[25] Х. Олдридж-младший, А. Г. Линда, К. К. Бомбергер, Ю. Пузырев, Дж. М.О. Зиде, С. Т. Пантелидес, М. Е. Лоу, Кевин С. Джонс, «Стратегии легирования N-типа для InGaAs», Материаловедение в обработке полупроводников, 57, 39-47, 19 октября 2016 г.

[26] К. Инь, Y-Y. Чжан, Ю. Чжоу, Л. Сан, М. Ф. Чизхолм, С. Т. Пантелидес и В. Чжоу, «Неподдерживаемые монослои оксида меди толщиной в один атом», 2D Mater., 4, 011001, 20 октября 2016 г.

[27] Л.Чен, Ю.Ю. Чжан, Т.Дж. Пенникук, Ю. Ву, А. Р. Лупини, Н. Паудель, С. Т. Пантелидес, Ю. Ян и С. Дж. Пенникук, «Последовательное наблюдение движения дислокаций в CdTe: динамическая сканирующая просвечивающая электронная микроскопия», Прил. Phys. Lett. 109, 143107, 24 октября 2016 г.

[28] G. Wang, L. Bao, T. Pei, R. Ma, Y. Y. Zhang, L. Sun, Guangyu Zhang, H. Yang, J. Li, S. Gu, S. Du. С. Т. Пантелидес, Р. Д. Шримпф и Х.- Дж. Гао, «Введение межфазных зарядов в черный фосфор для семейства плоских устройств», Nano Lett.16, 6870-6878, 27 октября 2016 г.

[29] М. Д. Капетанакис, М. П. Оксли, В. Чжоу, С. Дж. Пенникук, Ж.-К. Идробо и С. Т. Пантелидес, «Сигнатуры различных примесных конфигураций в спектроскопии потерь энергии валентных электронов с атомным разрешением: приложение к графену» Phys. Ред. B. 94, 155449, 31 октября 2016 г.

[30] Г. X. Дуан, Дж. А. Хахтель, Э. X. Чжан, К. X. Чжан, Д. М. Флитвуд, Р. Д. Шримпф, Р. А. Рид, Дж. Митард, Д. Линтен, Л. Виттерс, Н. Колларт, А. Мокута, А.В.-Ю. Теан, М. Ф. Чисхолм и С. Т. Пантелидес, «Влияние нестабильности температуры отрицательного смещения на низкочастотный шум в SiGe pMOSFET», IEEE Trans. Device Mater. Rel, 16, 541-548, декабрь 2016.

2015

[1] W. Zhou, K. Yin, C. Wang, Y. Zhang, T. Xu, A. Borishevich, L. Sun, JC Idrobo, M. Chisholm, ST Pantelides, R. Klie, and A. Lupini. , «Наблюдение за квадратным льдом в графене под вопросом», Nature (в печати, декабрь 2015 г.).

[2] Р. Николл, Х.Конли, Н. Лаврик, И. Влассюк, Ю. Пузырев, В. Парси Сринивас, С. Т. Пантелидес и Кирилл И. Болотин, «Влияние внутреннего смятия на механику отдельно стоящего графена», Nature Comm., 6, 8789, (2015).

[3] Y. Wang, L. Li, W. Yao, S. Song, J. T. Sun, J. Pan, X. Ren, C. Li, E. Okunishi, Y.-Q. Wang, E. Wang, Y. Shao, Y. Y. Zhang, H.-T. Янг, Э. Ф. Швир, Х. Ивасава, К. Шимада, М. Танигучи, З. Ченг, С. Чжоу, С. Ду, С. Дж. Пенникук, С. Т. Пантелидес и Х.-Дж. Гао, “Монослой PtSe2, новый полупроводниковый дихалькогенид переходного металла, эпитаксиально выращенный путем прямой селенизации Pt”, Nano Lett., 15, 4013-4018, (2015).

[4] X Shen, K Yin, YS Puzyrev, Y Liu, L Sun, RW Li, ST Pantelides, “2D нановаристоры на границах зерен учитывают мемристивное переключение в поликристаллическом BiFeO ₃ , Adv. Электрон. Матер. 1 (5) 2015.

[5] Л. Пань, Ю. Цюэ, Х. Чен, Д. Ван, Дж. Ли, К. Шен, В. Сяо, С. Ду, Х. Гао и С. Т. Пантелидес, «Комнатная температура, низкая -барьерное легирование графена бором ”, Nano Lett., 15, 6464-6468, (2015).

[6] X. Lu, M. Utama, J. Lin, X.Лу, Ю. Чжао, Дж. Чжан, С. Т. Пантелидес, В. Чжоу, С. Куек и В. Сюн, «Быстрая и неразрушающая идентификация политипизма и последовательностей укладки в многослойном диселениде молибдена с помощью рамановской спектроскопии», Adv. Матем., 27, 4502-4508, (2015).

[7] Дж. Лин, С. Т. Пантелидес, В. Чжоу «Образование и рост инверсионных доменов в монослое дихалькогенидов переходных металлов, вызванное вакансиями», ACS Nano, 9, 5189–5197 (2015).

[8] Ю.С. Пузырев, Р. Д. Шримпф, Д. М. Флитвуд, С.Т. Пантелидес, “Роль примесных комплексов Fe в деградации транзисторов GaN / AlGaN с высокой подвижностью электронов”, Applied Physics Lett., 106, 053505 (2015).

[9] X. Шен, С. Дхар и С. Т. Пантелидес, «Атомное происхождение высокотемпературного захвата электронов в устройствах металл-оксид-полупроводник», Appl. Physics Lett, 106, 143504, (2015).

[10] Ю. Чжан, Р. Мишра, Т. Дж. Пенникук, А. Ю. Борисевич, С. Дж. Пенникук и С. Т. Пантелидес, «Кислородное расстройство, способ приспособить большие эпитаксиальные штаммы
в оксидах», Adv.Мат. Интерфейсы, опубликовано в сети 22 сентября 2015 г.

[11] С. Дж. Пенникук, В. Чжоу и С. Т. Пантелидес, «Наблюдение за работой атомов: структура и динамика нанокластеров», ACS Nano, 10, 9437-9440 (2015).

[12] Дж. Хахтель, Р. Сачан, Р. Мишра и С. Т. Пантелидес, «Основы количественной теории межфазного поглощения в многослойных гетероструктурах», Appl. Phys. Lett., 107, 0, (2015).

[11] Q. Qiao, Y. Zhang, R. Contreras-Guerrero, R. Droopad, S.T. Pantelides, S.Дж. Пенникук, С. Огут и Р. Ф. Кли, «Прямое наблюдение поляризации, усиленной кислородными вакансиями, в сегнетоэлектрической пленке BaTiO3 с буфером SrTiO3 на GaAs», Прил. Physics Lett., 107, 201604 (2015).

[12] Ю. Чжан, Р. Мишра, Т. Дж. Пенникук, А. Ю. Борисевич, С. Дж. Пенникук и С. Т. Пантелидес, «Кислородный дисордант, способ аккомодации больших эпитаксиальных напряжений в оксидах», Adv. Матер. Interf., Опубликовано на сайте 23 сентября 2015 г.

[13] X. Шен, Ю. Пузырев, Д. Флитвуд, Р. Шримпф, С.Т. Пантелидес, “Квантово-механическое моделирование динамики радиационных дефектов в электронных устройствах”, IEEE Trans. на Nuc. Sci., 5, 2169-2180, (2015).

[14] М. Капетанакис, У. Чжоу, М. Оксли, Дж. Ли, М. Прейндж, С. Пенникук, Дж. К. Идробо и С. Т. Пантелидес, «Спектроскопия потерь энергии электронов с низкими потерями: дополнение к оптическим технологиям с атомным разрешением. спектроскопия и приложения к графену ”, Phys. Ред. B, 92, 125147, (2015).

[15] Дж. А. Хачтель, К. Марвинни, А. Мути, Д.Мэйо, Р. Му, С. Дж. Пенникук, А. Р. Лупини, М. Ф. Чизолм, Р. Ф. Хаглунд и С. Т. Пантелидес, «Исследование плазмонов в трех измерениях путем комбинирования дополнительных спектроскопий в сканирующем просвечивающем электронном микроскопе», на рассмотрении Adv. Опт. Матер.

[16] X. Шен, Т.Дж. Пенникук, Д. Эрнандес-Мартин, А. Перес, М. Варела, Ю.С. Пузырев, К. Леон, З. Сефриуи, Дж. Сантамария и С.Т. Пантелидес, «Высокое соотношение включения / выключения. мемристивное переключение бислоя манганит-купрат межфазным магнтоэлектричеством », на обзоре Adv.Матер. Интерф.

[15] S. Yu, J. Hachtel, M. Chisholm, ST Pantelides, L. Laromaine и A. Roig, «Магнитные золотые нанотреугольники с помощью микроволнового синтеза полиолов», Nanoscale, 7, 14039-14046, (2015 ).

[16] Г. Дуан, Дж. Хатчел, X. Шен, E.X. Чжан, С.Х. Чжан, Б. Таттл, Д. Флитвуд, Р. Шримпф, Р. Рид, Дж. Франко, Д. Линтен, Дж. Митард, Л. Виттерс, Н. Колларт, М. Чизхолм и С. Т. Пантелидес, » Энергии активации для генерации заряда оксидов и ловушек на границе раздела из-за температурного напряжения отрицательного смещения SiGe-pMOSFET с крышками SiGe », IEEE Trans.на Dev. и мат. Rel., 15, 352-358, (2015).

[18] Г. Бармпарис, Ю. Пузырев, X.-G. Чжан, С. Т. Пантелидес, «Теория неупругого многофононного рассеяния и захвата носителей на дефектах в полупроводниках: приложение к сечениям захвата», PRB, 92, 214111, (2015).

[19] J. Pan, S. Du, Y. Zhang, L. Pan, Y. Zhang, H.-J. Гао, С. Т. Пантелидес, «Ферромагнетизм и идеальная спиновая фильтрация в графиновых нанолентах, легированных переходными металлами», PRB, 92, 205429, (2015).

[20] Б.Таттл, С. Альхассан и С. Т. Пантелидес, «Большие экситонные эффекты в монослоях сульфидов IV группы», PRB, 92, 235405, (2015).

[21] К. Леон, М. Фречеро, М. Роччи, Г. Санчес-Сантолино, А. Кумар, Х. Салафранка, Р. Шмидт, М. Диас-Гильен, О. Дура, А. Ривера-Кальсада, Р. Мишра, С. Джесси, С. Калинин, М. Варела, С. Пенникук, Дж. Сантамария и С. Т. Пантелидес, «Прокладывая путь к наноионике: атомное происхождение барьеров для ионного транспорта через интерфейсы», Scientific Reports, 5 , 17229, (2015).

2014

[1] Дж. Ли, З. К. Янг, В. Чжоу, С. Дж. Пенникук, С. Т. Пантелидес, М. Ф. Чизхолм, «Стабилизация нанопор графена», PNAS, 111, 7522-7526 (2014).

[2] Ю.-М. Ким, А. Морозовская, Э. Елисеев, М. П. Оксли, Р. Мишра, С. М. Сельбах, Т. Гранде, С. Т. Пантелидес, С. В. Калинин, А. Ю. Борисевич, “Прямое наблюдение эффекта сегнетоэлектрического поля и экранирование, контролируемое вакансиями на BiFeO3 / Интерфейс LaxSr1-xMnO3 ”, Nature Mat., 13, 1019-1025 (2014).

[3] Дж. Х. Лин, О. Крету, В. Чжоу, К. Суэнага, Д. Прасай, К. И. Болотин, Н. Т. Куонг, М. Отани, С. Окада, А. Р. Лупини, Дж. К. Идробо, Д. Кодель, А. Бургер , NJ Ghimire, JQ Yan, DG Mandrus, SJ Pennycook, ST Pantelides, «Гибкие металлические нанопроволоки с самоадаптирующимися контактами с полупроводниковыми монослоями дихалькогенидов переходных металлов», Nature Nanotech., 9, 436-442, (2014).

[4] Н. Бишкуп, Дж. Салафранка, В. Мехта, М. П. Оксли, Ю. Сузуки, С. Дж. Пенникук, С.Т. Пантелидес и М. Варела, “Изолирующие ферромагнитные пленки LaCoO3-δ: фаза, вызванная упорядочением кислородных вакансий”, Phys. Rev. Lett. 112, 087202 (2014).

[5] Р. Исикава, Р. Мишра, А. Р. Лупини, С. Д. Финдли, Т. Танигучи, С. Т. Пантелидес, С. Дж. Пенникук, «Прямое наблюдение диффузии атомов примеси в объемном кристалле полупроводника, усиленной несоответствием большого размера» Phys. Rev. Lett., 113, 155501 (2014).

[6] Ю. Дж. Гонг, З. Лю, А. Р. Лупини, Г. Ши, Дж. Х. Лин, С.Наджмаи, З. Лин, А.Л. Элиас, А. Беркдемир, Г. Ю, Х. Терронес, М. Терронес, Р. Вайтаи, С. Т. Пантелидес, С. Дж. Пенникук, Дж. Лу, В. Чжоу, П. М. Аджаян, «Инженерия запрещенной зоны и послойное картирование дисульфида молибдена, легированного селеном », Nano Lett., 14, 442-449 (2014).

[7] X. Lu, MIB Utama, JH Lin, X. Gong, J. Zhang, YY Zhao, ST Pantelides, JX Wang, ZL Dong, Z. Liu, W. Zhou, QH Xiong, «Синтез на большой площади. однослойных и многослойных пленок MoSe2 на подложках SiO2 ”, Nano Lett., 14, 2419-2425 (2014).

[8] Р. Мишра, Ю.М. Ким, Дж. Салафранка, С.К. Ким, С.Х. Чанг, А. Бхаттачарья, Д.Д. Фонг, С.Дж. Пенникук, С.Т. Пантелидес, А.Ю. Борисевич, «Полярное поведение, вызванное кислородными вакансиями в (LaFeO3) ( 2) Сверхрешетки (SrFeO3) ”, Nano Lett., 14, 2694-2701 (2014).

[9] FJ Nelson, JC Idrobo, JD Fite, ZL Miskovic, SJ Pennycook, ST Pantelides, JU Lee, AC Diebold, «Электронные возбуждения в графене в диапазоне 1-50 эВ: пики пи и пи плюс сигма не являются плазмоны ”, Nano Lett., 14, 3827-3831, (2014).

[10] JD Ren, HM Guo, JB Pan, YY Zhang, X. Wu, HG Luo, SX Du, ST Pantelides, HJ Gao, «Кондо-эффект адатомов кобальта на монослое графена, контролируемый рябью, вызванной подложкой», Nano Lett. 14, 4011-4015, (2014).

[11] К. Аппаву, Б. Ван, Н. Ф. Брэди, М. Сео, Дж. Наг, Р. П. Прасанкумар, Д. Хилтон, С. Т. Пантелидес, Р. Ф. Хаглунд, младший, «Сверхбыстрый фазовый переход через катастрофический коллапс фононов, вызванный горячими плазмонами. -электронная инжекция ”, Нано.Lett., 14, 1127-1133 (2014).

[12] Ю. Пузырев, С. Мукерджи, Дж. Чен, Т. Рой, М. Сильвестри, Р. Д. Шримпф, Д. М. Флитвуд, Дж. Сингх, Дж. М. Хинкли, А. Пакканелла, С. Т. Пантелидес, «Зависимость дефекта от смещения ворот. деградация горячих носителей в GaN HEMTs », IEEE Trans. Электронные разработки, 61, 1316-1320 (2014).

[13] К. Х. Варник, Б. Ван, С. Т. Пантелидес, “Динамика водорода и стабилизация металлической фазы в VO2”, Appl. Phys. Lett., 104, 101913 (2014).

[14] Л.Цецерис, Б. Ван, С. Т. Пантелидес, “Замещающее легирование графена: роль углеродных дивакансий”, Phys. Ред. Б., 89, 035411 (2014).

[15] Y. Xu, X. Zhu, HD Lee, C. Xu, SM Shubeita, AC Ahyi, Y. Sharma, JR Williams, W. Lu, S. Ceesay, BR Tuttle, A. Wan, ST Pantelides, T. Gustafsson, EL Garfunkel, LC Feldman, «Атомное состояние и характеристика азота на границе SiC / SiO2» J. Appl. Физ., 115, 033502 (2014).

[16] Л. Цецерис, С.Т. Пантелидес, «Графен — непроницаемая или избирательно проницаемая мембрана для атомарных частиц?», Carbon, 67, 58-63 (2014).

[17] А. Р. Клоц, A.K.M. Newaz, B. Wang, D. Prasai, H. Krzyzanowska, J.H. Лин, Д. Кодель, Н.Дж. Гимире, Дж. Ян, Б.Л. Иванов, К.А. Велижанин, А. Бургер, Д.Г. Мандрус, Н.Х. Толк, С.Т. Пантелидес, К.И. Болотин, “Исследование экситонных состояний в взвешенных двумерных полупроводниках методом спектроскопии фототока”, Научные отчеты, 4, 6608, (2014).

[18] Z.К. Ян, Л. К. Инь, Дж. Ли, В. К. Рен, Х. М. Ченг, H.Q. Е, С. Т. Пантелидес, С. Дж. Пенникук, М. Ф. Чисхолм, «Прямое наблюдение атомной динамики и легирования кремния на топологическом дефекте графема», Angewandte Chemie-International Edition 53, 8908-8912, (2014).

[19] MP Oxley, MD Kapetanakis, MP Prange, M. Varela, SJ Pennycook, ST Pantelides, «Моделирование тонкой структуры потерь энергии электронов в зависимости от положения зонда» Microscopy and Microanalysis, 20, 784-797, (2014) .

[20] Д. М. Флитвуд, Э. Х. Чжан, X. Шен, К. X. Чжан, Р. Д. Шримпф, С. Т. Пантелидес, «Неустойчивость температур смещения в устройствах МОП из карбида кремния», под редакцией Т. Грассера (Springer, Вена, 2014).

[21] GX Duan, CX Zhang, EX Zhang, J. Hachtel, DM Fleetwood, RD Schrimpf, RA Reed, ML Alles, ST Pantelides, G. Bersuker, CD Young, «Зависимость от смещения общих эффектов ионизирующей дозы в SiGe-MOS. FinFETs », IEEE Trans. Nucl. Sci., 61, 2834-2838, (2014).

[22] CX Zhang, AKM Newaz, B. Wang, EX Zhang, GX Duan, DM Fleetwood, ML Alles, RD Schrimpf, KI Bolotin, ST Pantelides, «Воздействие электрического напряжения и общей ионизирующей дозы на транзисторы MoS», IEEE Trans . Nucl. Sci., 61, 2862-2867, (2014).

[23] CX Zhang, B. Wang, GX Duan, EX Zhang, DM Fleetwood, ML Alles, RD Schrimpf, AP Rooney, E. Khestanova, G. Auton, RV Gorbachev, SJ Haigh, ST Pantelides, «Общая ионизирующая доза. Воздействие на устройства с инкапсулированным h-BN графеном », IEEE Trans.Nucl. Sci., 61, 2868-2873, (2014).

2013

[1] Дж. Чен, Ю.С. Пузырев, С.Х. Чжан, Э.С. Чжан, М.В. Маккарди, Д.М. Флитвуд, Р.Д. Шримпф, С.Т. Пантелидес, С.В. Каун, Э.Ч. Кайл и Дж.С. Спек, «Протонно-индуцированное дегидрирование дефектов в AlGaN / GaN. HEMTs, Ieee Transactions on Nuclear Science, vol. 60, pp. 4080-4086, декабрь 2013 г.

[2] Дж. Х. Лин, В. Д. Хе, С. Вилаюрганапати, С. Дж. Пепперник, Б.Ван, С. Палепу, М. Ремек, В. П. Хесс, А. Б. Хмело, С. Т. Пантелидес и Дж. Х. Дикерсон, «Рост твердых и полых золотых частиц посредством термического отжига наноразмерных тонких пленок», Acs Applied Materials & Interfaces, т. 5, pp. 11590-11596, ноябрь 2013 г.

[3] Б. Ван, Ю. С. Пузырев, С. Т. Пантелидес, «Усиленные химические реакции кислорода на границах зерен в поликристаллическом графене», Polyhedron, vol. 64, стр. 158-162, ноябрь 2013 г.

[4] Р. Мишра, В. Чжоу, С. Дж. Пенникук, С. Т. Пантелидес и Дж. К. Идробо, «Дальнее ферромагнитное упорядочение в двумерных дихалькогенидах, допированных марганцем», Physical Review B, vol. 88, октябрь 2013 г.

[5] Б. Р. Таттл, Т. Айхингер, П. М. Ленахан и С. Т. Пантелидес, «Теория сверхтонких активных азотных комплексов, наблюдаемых в 4H-SiC диодах», Journal of Applied Physics, vol. 114, сен 2013.

[6] X. Shen, Y.С. Пузырев, С. Т. Пантелидес, «Дыхание вакансий границами зерен — механизм мемристивного переключения в поликристаллических оксидах», Mrs Communications, vol. 3, стр. 167-170, сентябрь 2013 г.

[7] Х. Дж. Конли, Б. Ван, Дж. И. Циглер, Р. Ф. Хаглунд, С. Т. Пантелидес и К. И. Болотин, «Зонная инженерия деформированного монослоя и двухслойного MoS2», Nano Letters, vol. 13, pp. 3626-3630, август 2013 г.

[8] X. Шен, Б. Р. Таттл и С. Т. Пантелидес, «Конкурирующие атомные и молекулярные механизмы термического окисления — SiC по сравнению с Si», Journal of Applied Physics, vol.114, июл 2013.

[9] Ф. М. Стил, Б. Р. Таттл, Х. Шен и С. Т. Пантелидес, «Влияние деформации на электрические свойства карбида кремния», Journal of Applied Physics, vol. 114, июл 2013.

[10] Дж. Х. Лин, В. Дж. Фанг, В. Чжоу, А. Р. Лупини, Дж. К. Идробо, Дж. Конг, С. Дж. Пенникук и С. Т. Пантелидес, «Границы стекирования AC / AB в двухслойном графене», Nano Letters, vol. 13, стр. 3262-3268, июль 2013 г.

[11] С. X.Чжан, X. Шен, Э.С. Чжан, Д.М. Флитвуд, Р.Д. Шримпф, С.А. Фрэнсис, Т. Рой, С. Дхар, С.Х. Рю и С.Т. Пантелидес, «Температурная зависимость и реакция пострадиационного отжига 1 / f-шума 4H-SiC. МОП-транзисторы », Ieee Transactions on Electron Devices, vol. 60, pp. 2361-2367, июль 2013 г.

[12] Дж. Ли, У. Чжоу, С. Дж. Пенникук, Дж. К. Идробо и С. Т. Пантелидес, «Прямая визуализация обратимой динамики в кластере Si-6, внедренном в пору графена», Nature Communications, vol.4, апрель 2013 г.

[13] Б. Р. Таттл, X. Шен и С. Т. Пантелидес, «Теория тушения ловушек вблизи интерфейса примесями в устройствах на основе SiC металл-оксид-полупроводник», Applied Physics Letters, vol. 102, март 2013 г.

[14] К. Х. Варник, Б. Ван, Д. Э. Сиффель, Д. В. Райт, Р. Ф. Хаглунд и С. Т. Пантелидес, «Реакции при комнатной температуре для самоочищающихся молекулярных нанодатчиков», Nano Letters, vol. 13, стр. 798-802, февраль 2013 г.

[15] X.Шен и С. Т. Пантелидес, «Атомно-масштабный механизм эффективного выделения водорода на электродах из нанокристаллов SiC», Journal of Physical Chemistry Letters, vol. 4, стр. 100-104, январь 2013 г.

[16] З. Джаррахи, Я. Х. Цао, Т. Хонг, Ю. С. Пузырев, Б. Ван, Дж. Х. Лин, А. Х. Хаффстаттер, С. Т. Пантелидес, Ю. К. Сюй, «Улучшенный фотоотклик в скрученных графеновых лентах», Nanoscale, vol. 5. С. 12206-12211, 2013.